2) microwave dielectric ceramics thin films
微波介质陶瓷薄膜
1.
However,the minimum size of bulk devices isλ/4,which can\'t meet the requirement of integration and high property,and it impedes the application of microwave dielectric,thus providing a wide platform for microwave dielectric ceramics thin films in the fields of microwave integrated circuit and microwave integrated devices.
目前国内外的研究主要是块状器件的研究,但是块状材料的尺寸最少也要λ/4,不能满足集成化、高性能的要求,这阻碍了微波介质器件的应用,从而为微波介质陶瓷薄膜在微波集成电路和微波集成器件领域提供了一个广阔的平台。
3) medium thin filter
介质薄膜滤波器
4) Dielectric film
介质薄膜
1.
In this paper, a theoretical model of long-pulse laser leading to thermal stress damageof dielectric film in film/substrate systems is developed.
本文用有限元法研究并建立了长脉冲激光对介质薄膜热应力损伤的理论模型，在该模型的基础上模拟了介质薄膜和基底中的温度场和热应力场瞬态分布，分析了长脉冲激光对介质薄膜的热应力损伤的机理。
2.
The damage mechanisms and characteristics of dielectric films under the irradiation of the long pulse laser are studied in this paper.
本文从理论和实验方面研究了长脉冲激光对介质薄膜的损伤机理和特性,并对波长为1064nm的长脉冲激光产生的损伤阈值进行了测试研究。
6) medium film
介质薄膜
1.
A layer of medium film is plated on the surface of such devices (called film of increasing transmission or FIT) in order to reduce the loss of surface reflection.
在光学器件中,由于器件(如透镜、棱镜)表面的反射作用而使光能损失,为了减少光学器件表面的反射损失,常在器件表面镀上一层透明介质薄膜(称为增透膜),增透膜的效果与介质薄膜的折射率、厚度等相联系。
补充资料：二氧化硅薄膜介质材料
分子式：SiO2
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条