1) thin film dielectric
薄膜电介质
2) thin dielectric film
电介质薄膜
1.
Size effect of the thermal conductivity across thin dielectric films;
电介质薄膜导热系数的尺寸效应
2.
Non equilibrium molecular dynamics (NEMD) simulations have been performed to explore the normal thermal conductivity of nanoscale thin dielectric films.
通过非平衡分子动力学 (NEMD)模拟预报了纳米电介质薄膜的法向导热系数 。
3) dielectric film
电介质薄膜
1.
A new dielectric film-SiOP was grown on InGaAsP/InP multi-quantum wells (MQW) structure by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1。
4) High-k dielectric films
高k电介质薄膜
1.
research of High-k dielectric films for MOS gate dielectric applications;b.
本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。
5) Dielectric film
介质薄膜
1.
In this paper, a theoretical model of long-pulse laser leading to thermal stress damageof dielectric film in film/substrate systems is developed.
本文用有限元法研究并建立了长脉冲激光对介质薄膜热应力损伤的理论模型，在该模型的基础上模拟了介质薄膜和基底中的温度场和热应力场瞬态分布，分析了长脉冲激光对介质薄膜的热应力损伤的机理。
2.
The damage mechanisms and characteristics of dielectric films under the irradiation of the long pulse laser are studied in this paper.
本文从理论和实验方面研究了长脉冲激光对介质薄膜的损伤机理和特性,并对波长为1064nm的长脉冲激光产生的损伤阈值进行了测试研究。
补充资料：液体电介质电击穿
液体电介质电击穿
breakdown in dielectric liquids
丫e们d{0川旧7日妇ch日on液体电介质击穿(b reakdownindielectricliquids)在电场作用下，液体电介质由绝缘状态突变为良导电状态的过程。 液体电介质击穿过程的试验研究还不很充分，全面描述液体电介质击穿的理论尚未形成。对于纯净的液体电介质，存在两种用来解释击穿过程的理论—电击穿理论(见液体电介质电击穿)和气泡击穿理论(见液休电介质气泡击穿)。对于或多或少含有水分、纤维等杂质的工程用液体电介质的击穿过程，可用小桥击穿理论(见液体电介质小桥击穿)解释二
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条