1) source effects
场源效应
1.
Because of the source it will bring some “source effects” , that weonly know they exist and haven't researched their rules and emendation methods,such as near-field effect , transmitter overprint effect , shadow effect , etc .
在本论文中,我们针对这些场源效应设计了不同的模型,利用该软件进行正演计算,初步探讨了其规律。
2) Source overprint
场源复印效应
3) FET-constant current source
场效应管恒流源
4) GaAs source-couple FET logic
GaAs源耦合场效应管逻辑
5) source coupled FET logic
源极耦合场效应管逻辑
1.
In order to meet with the requirements of high-speed,the source coupled FET logic (SCFL) is applied in all of the circuits.
为了适应高速度的要求,所有电路全都采用源极耦合场效应管逻辑来实现。
6) crystalline electric field effect
晶场效应
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条