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1)  source effects
场源效应
1.
Because of the source it will bring some “source effects” , that weonly know they exist and haven't researched their rules and emendation methods,such as near-field effect , transmitter overprint effect , shadow effect , etc .
在本论文中,我们针对这些场源效应设计了不同的模型,利用该软件进行正演计算,初步探讨了其规律。
2)  Source overprint
场源复印效应
3)  FET-constant current source
场效应管恒流源
4)  GaAs source-couple FET logic
GaAs源耦合场效应管逻辑
5)  source coupled FET logic
源极耦合场效应管逻辑
1.
In order to meet with the requirements of high-speed,the source coupled FET logic (SCFL) is applied in all of the circuits.
为了适应高速度的要求,所有电路全都采用源极耦合场效应管逻辑来实现。
6)  crystalline electric field effect
晶场效应
补充资料:场效应晶体管
场效应晶体管
field effect transistor 

   利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小,制造工艺简单、温度特性好等特点,广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管(MESFET)是两种最重要的场效应晶体管,分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。
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参考词条