1) FET
场效应管
1.
Comparative Study of the Functions of FET and JET;
场效应管和三极管的比较研究
2.
Discussion of the Teaching Method of FET;
场效应管工作原理课堂教学方法和思路的探讨
3.
Extraction of FET Small-Signal Model Parameters Based on Hybrid Genetic Algorithm;
基于遗传算法的场效应管模型参数的提取
2) MOSFET
['mɔsfet]
场效应管
1.
MOSFET SWITCHING PILOT SOURCE;
开关式场效应管维弧电源的设计
2.
DESING OF ZX7-125S MOSFET INVERTER WELDING MACHINE;
ZX7－125S型场效应管逆变焊机的研制
3.
MOSFET invertor characteristics of robot arc welding system;
机器人场效应管式弧焊逆变器性能研究
3) field effect transistor
场效应管
1.
Fabrication and I-V characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors;
ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究
2.
High stability sine-wave generator with field effect transistor;
采用场效应管稳幅的高稳定度正弦波信号源
3.
The trouble of disable opening X-ray tube in ARL9400 X-ray fluorescence spectrograph caused by destroied field effect transistor was discussed.
介绍由于X射线荧光检测器探头的前置放大电路场效应管损坏而导致X射线光管不能打开的故障原因及故障排除方法。
4) field effect tube
场效应管
1.
The significance of understanding circuit symbols of transistor and field effect tube;
巧识晶体管、场效应管电路符号的意义
2.
A system of ultrasonic place measurement based-on microcontroller is presented,and an auto-gain circuit is designed,which depend on the changeable resistance function of the field effect tube,to offset attenuation that transmit process of ultrasonic.
介绍了一种基于单片机的超声波测距系统,应用场效应管的可变电阻功能,设计了一种自动增益电路来对超声波的声波衰减进行补偿,给出了自动增益电路原理图,并分析和实验了其功能,实验结果验证了设计的自动增益电路具有线性度高、电路简单以及动态性能好等优点,较好地改善了超声波声强与测距精度随距离远近变化大的缺点,并减小了超声波探头的测量盲区。
3.
The new type DC solid state relay is a kind of new contactless switching device,with the new type IGBT and power field effect tube as the core and composed completely by solid state electron devices.
新型直流固态继电器是一种以新型器件IGBT以及功率场效应管为核心的,全部由固态电子器件组成的新型无触点开关器件。
5) field-effect transistor
场效应管
1.
A DNA field-effect transistor was manufactured.
利用亲和素作为连接臂将生物素修饰的单链DNA固定在传感器的栅区表面上,制成DNA场效应管生物传感器,研究DNA场效应管的稳定性和特异性,并测定该传感器对不同浓度DNA互补链检测的效应值。
2.
Aiming at the shortcoming of the typical field-effect transistor (FET) switch, this paper proposes a kind of novel FET switch.
针对典型场效应管开关电路的缺点 ,提出了一种新的场效应管开关 。
6) field effect transistor
场效应管场效应晶体管
补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条