磁性掺杂,Magnetic Dopping,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

您的位置：首页 -> 词典 -> 磁性掺杂

1) Magnetic Dopping 点击朗读

磁性掺杂

2) non-magnetic dopant 点击朗读

非磁性掺杂

3) magnetic and non-magnetic doping 点击朗读

磁、非磁掺杂

4) Doping modification 点击朗读

掺杂改性

Investigations on the doping modification of BST in paraelectric state have been becoming one of the interesting research areas in the past few years.

因此对顺电态下的BST进行掺杂改性是近年来铁电材料的研究热点之一。

The doping modification were emphasised and the existing problems and resolvent were analysed which offer bismuth layer structure lead-free piezoelectric ceramics referenc.

本文介绍了铋层状压电材料的结构特点,综述了铋层压电材料的改性研究;着重综述了铋层状结构压电陶瓷材料的掺杂改性研究进展,并对存在的问题和解决方法进行了分析,为制备出高性能的铋层状结构无铅压电陶瓷材料提供一定的参考价值,经过改性的材料可能应用在铁电显示器中。

The progress in the research of doping modification of Ba_(1-x)Sr_xTiO_3(barium strontium titanium oxide, BST) was reviewed.

综述了最近几年国内外专家对钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷材料的掺杂改性方面的研究情况,介绍了不同掺杂物对BST材料性能的影响,简述了BST陶瓷材料的应用趋势。

更多例句>>

5) doping [英][dəup] [美][dop] 点击朗读

掺杂改性

The doping methods for improving gas sensitivity and photocatalysis are introduced, including noble metal, common metal and metal oxides doping.

综述了多功能材料ZnO的气敏和光催化机理,分别介绍了为了改进ZnO的气敏性能和光催化性能而进行的掺杂改性措施,包括掺杂贵金属、普通金属离子、金属氧化物等,提出综合利用ZnO的气、光敏特性,选择合适的掺杂剂对ZnO进行修饰改性将是提高ZnO气敏元件性能的一个较好的方向。

This paper summarizs the effect of donor doing,aceeptor doping and grain boundary doping in lAST thin films reported in many lit- eratures recently years.

综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前 BST 薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。

In this article,the effects of doping and preparation on the properties of the thin films and the fatigue property researches are summarized.

本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。

更多例句>>

6) modification [英][,mɔdɪfɪ'keɪʃn] [美]['mɑdəfə'keʃən] 点击朗读

掺杂改性

It is pointed out that the methods of preparation and modification of BNT based piezoelectric ceramics are being widely developed with the great interest.

5)TiO3(简称BNT)基无铅压电陶瓷材料的发展进程及研究现状,着重介绍了BNT基无铅压电陶瓷的制备工艺和掺杂改性,并对其发展趋势进行了展望。

更多例句>>

补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料

磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film

在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

掺杂与改性掺杂改性ATO 铽掺杂磁光玻璃顺磁法掺杂的

硬性掺杂线性掺杂掺杂和改性钇掺杂改性选择性掺杂手性掺杂剂

说明：双击或选中下面任意单词，将显示该词的音标、读音、翻译等；选中中文或多个词，将显示翻译。
	您的位置：首页 -> 词典 -> 磁性掺杂 1) Magnetic Dopping 磁性掺杂 2) non-magnetic dopant 非磁性掺杂 3) magnetic and non-magnetic doping 磁、非磁掺杂 4) Doping modification 掺杂改性 1. Investigations on the doping modification of BST in paraelectric state have been becoming one of the interesting research areas in the past few years. 因此对顺电态下的BST进行掺杂改性是近年来铁电材料的研究热点之一。 2. The doping modification were emphasised and the existing problems and resolvent were analysed which offer bismuth layer structure lead-free piezoelectric ceramics referenc. 本文介绍了铋层状压电材料的结构特点,综述了铋层压电材料的改性研究;着重综述了铋层状结构压电陶瓷材料的掺杂改性研究进展,并对存在的问题和解决方法进行了分析,为制备出高性能的铋层状结构无铅压电陶瓷材料提供一定的参考价值,经过改性的材料可能应用在铁电显示器中。 3. The progress in the research of doping modification of Ba_(1-x)Sr_xTiO_3(barium strontium titanium oxide, BST) was reviewed. 综述了最近几年国内外专家对钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷材料的掺杂改性方面的研究情况,介绍了不同掺杂物对BST材料性能的影响,简述了BST陶瓷材料的应用趋势。更多例句>> 5) doping [英][dəup] [美][dop] 掺杂改性 1. The doping methods for improving gas sensitivity and photocatalysis are introduced, including noble metal, common metal and metal oxides doping. 综述了多功能材料ZnO的气敏和光催化机理,分别介绍了为了改进ZnO的气敏性能和光催化性能而进行的掺杂改性措施,包括掺杂贵金属、普通金属离子、金属氧化物等,提出综合利用ZnO的气、光敏特性,选择合适的掺杂剂对ZnO进行修饰改性将是提高ZnO气敏元件性能的一个较好的方向。 2. This paper summarizs the effect of donor doing,aceeptor doping and grain boundary doping in lAST thin films reported in many lit- eratures recently years. 综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前 BST 薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。 3. In this article,the effects of doping and preparation on the properties of the thin films and the fatigue property researches are summarized. 本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。更多例句>> 6) modification [英][,mɔdɪfɪ'keɪʃn] [美]['mɑdəfə'keʃən] 掺杂改性 1. It is pointed out that the methods of preparation and modification of BNT based piezoelectric ceramics are being widely developed with the great interest. 5)TiO3(简称BNT)基无铅压电陶瓷材料的发展进程及研究现状,着重介绍了BNT基无铅压电陶瓷的制备工艺和掺杂改性,并对其发展趋势进行了展望。更多例句>> 补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料磁性材料2．薄膜磁性材料 Magnetie Materials 2.Thin Film 在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条掺杂与改性掺杂改性ATO 铽掺杂磁光玻璃顺磁法掺杂的

©2011 dictall.com