1) linear doping profile
线性掺杂
1.
For the thick film device,linear doping profile can be replaced by a single or two steps doping profile in the drift region due to a considerable uniformly la.
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型 。
2) mixed nonlinear crystal
掺杂非线性晶体
3) Doping modification
掺杂改性
1.
Investigations on the doping modification of BST in paraelectric state have been becoming one of the interesting research areas in the past few years.
因此对顺电态下的BST进行掺杂改性是近年来铁电材料的研究热点之一。
2.
The doping modification were emphasised and the existing problems and resolvent were analysed which offer bismuth layer structure lead-free piezoelectric ceramics referenc.
本文介绍了铋层状压电材料的结构特点,综述了铋层压电材料的改性研究;着重综述了铋层状结构压电陶瓷材料的掺杂改性研究进展,并对存在的问题和解决方法进行了分析,为制备出高性能的铋层状结构无铅压电陶瓷材料提供一定的参考价值,经过改性的材料可能应用在铁电显示器中。
3.
The progress in the research of doping modification of Ba_(1-x)Sr_xTiO_3(barium strontium titanium oxide, BST) was reviewed.
综述了最近几年国内外专家对钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷材料的掺杂改性方面的研究情况,介绍了不同掺杂物对BST材料性能的影响,简述了BST陶瓷材料的应用趋势。
4) doping
[英][dəup] [美][dop]
掺杂改性
1.
The doping methods for improving gas sensitivity and photocatalysis are introduced, including noble metal, common metal and metal oxides doping.
综述了多功能材料ZnO的气敏和光催化机理,分别介绍了为了改进ZnO的气敏性能和光催化性能而进行的掺杂改性措施,包括掺杂贵金属、普通金属离子、金属氧化物等,提出综合利用ZnO的气、光敏特性,选择合适的掺杂剂对ZnO进行修饰改性将是提高ZnO气敏元件性能的一个较好的方向。
2.
This paper summarizs the effect of donor doing,aceeptor doping and grain boundary doping in lAST thin films reported in many lit- eratures recently years.
综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前 BST 薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。
3.
In this article,the effects of doping and preparation on the properties of the thin films and the fatigue property researches are summarized.
本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。
5) modification
[英][,mɔdɪfɪ'keɪʃn] [美]['mɑdəfə'keʃən]
掺杂改性
1.
It is pointed out that the methods of preparation and modification of BNT based piezoelectric ceramics are being widely developed with the great interest.
5)TiO3(简称BNT)基无铅压电陶瓷材料的发展进程及研究现状,着重介绍了BNT基无铅压电陶瓷的制备工艺和掺杂改性,并对其发展趋势进行了展望。
6) Mn-modified
硬性掺杂
1.
Mn-modified CaBi_4Ti_4O_(15) (CBT+x mol% MnCO_3) layer-structured piezoelectric ceramics were prepared by the solid state reaction technology.
Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗,剩余极化轻微降低,室温介电常数从173减小到162,同时机械品质因子由2700增加到4400,显示了硬性掺杂的效果。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条