1) doping and modification
掺杂和改性
2) Doping modification
掺杂改性
1.
Investigations on the doping modification of BST in paraelectric state have been becoming one of the interesting research areas in the past few years.
因此对顺电态下的BST进行掺杂改性是近年来铁电材料的研究热点之一。
2.
The doping modification were emphasised and the existing problems and resolvent were analysed which offer bismuth layer structure lead-free piezoelectric ceramics referenc.
本文介绍了铋层状压电材料的结构特点,综述了铋层压电材料的改性研究;着重综述了铋层状结构压电陶瓷材料的掺杂改性研究进展,并对存在的问题和解决方法进行了分析,为制备出高性能的铋层状结构无铅压电陶瓷材料提供一定的参考价值,经过改性的材料可能应用在铁电显示器中。
3.
The progress in the research of doping modification of Ba_(1-x)Sr_xTiO_3(barium strontium titanium oxide, BST) was reviewed.
综述了最近几年国内外专家对钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷材料的掺杂改性方面的研究情况,介绍了不同掺杂物对BST材料性能的影响,简述了BST陶瓷材料的应用趋势。
3) doping
[英][dəup] [美][dop]
掺杂改性
1.
The doping methods for improving gas sensitivity and photocatalysis are introduced, including noble metal, common metal and metal oxides doping.
综述了多功能材料ZnO的气敏和光催化机理,分别介绍了为了改进ZnO的气敏性能和光催化性能而进行的掺杂改性措施,包括掺杂贵金属、普通金属离子、金属氧化物等,提出综合利用ZnO的气、光敏特性,选择合适的掺杂剂对ZnO进行修饰改性将是提高ZnO气敏元件性能的一个较好的方向。
2.
This paper summarizs the effect of donor doing,aceeptor doping and grain boundary doping in lAST thin films reported in many lit- eratures recently years.
综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前 BST 薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。
3.
In this article,the effects of doping and preparation on the properties of the thin films and the fatigue property researches are summarized.
本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。
4) modification
[英][,mɔdɪfɪ'keɪʃn] [美]['mɑdəfə'keʃən]
掺杂改性
1.
It is pointed out that the methods of preparation and modification of BNT based piezoelectric ceramics are being widely developed with the great interest.
5)TiO3(简称BNT)基无铅压电陶瓷材料的发展进程及研究现状,着重介绍了BNT基无铅压电陶瓷的制备工艺和掺杂改性,并对其发展趋势进行了展望。
5) modification by doping
掺杂改性
1.
The research actualities of modification by doping to improve the fatigue properties of Bi4Ti3O12 are also introduced.
综述了FRAM用铁电薄膜的疲劳机理,对比了钙钛矿结构铁电体与铋层类钙钛矿结构铁电体的区别,介绍了铋层类钙钛矿结构铁电材料的优良抗疲劳性能与该类铁电材料结构的密切关系,和为提高铋层类钙钛矿结构铁电薄膜Bi4Ti3O12的抗疲劳性能所采取的掺杂改性的研究现状,并针对目前铁电薄膜制备中存在的问题提出了今后研究需着重解决的关键问题。
6) doping and modification
掺杂改性
1.
This paper introduces brief achievements about the doping and modification of ZnS crystalline as host material, and demonstrates the principle of the doption, the mainly technique and method; Finally compares and analyses the results of different dopants.
对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果进行了简要介绍,对纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理、主要的掺杂技术、方法进行了综述,并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。
补充资料：晶体掺杂改性
晶体掺杂改性
crystal properties modified by doping
晶体掺杂改性er邓tal pro详rties modified bydoping晶体中掺入杂质以改变原来晶体的某些物理和化学性质，从而满足各种敏感器件对晶体所要求的特性(见晶体组成和设计)。自然界形成的晶体或实验室中生长的晶体，很少有不含杂质的。这些杂质可分为代位性杂质和填隙性杂质。此外，还有晶格中尚未填满的空位。激光晶体和无机功能晶体都属于离子化合物，采用的掺杂剂均为代换性杂质。考虑离子置换的主要因素是离子大小、电荷和电负性。通常，认为离子大小相差10%可进行置换，低温矿物可达15%。在晶体生长的1000一2500℃温度范围内，由于激光晶体并不需要较高的杂质浓度(约1%)和分配系数，实际上离子大小相差可高达30%。具有相同电荷的两个离子对基质置换，小的离子优于大的离子;具有相同大小的离子对基质置换，电荷大的离子优于电荷小的离子。 晶体掺杂是通过在熔体里加入掺杂剂来实现的。如对氧化物晶体使用氧化物掺杂剂，对氟化物晶体使用氟化物掺杂剂。常使用有效分配系数Kefr作为衡量离子置换难易的尺度。分配系数除依赖于掺杂离子性质外，在一定程度上依赖于生长条件和掺杂剂在熔体里的浓度。通常采用光学光谱(吸收和发光)、电子顺磁共振(ESR)和穆斯堡尔(M6ssbauer)效应等技术来研究杂质离子在晶体中的占位情况和能级跃迁机制。 掺杂改性研究在晶体材料领域内是非常普遍的。半导体锗及硅掺杂了稼、砷或其他元素，产生P型或N型半导体材料;掺铬的氧化铝(A卜03:Cra+)即红宝石，常用作大功率激光器工作物质;掺钱的忆铝石榴石(Y3A15O12:Nd“+)常用作连续激光器和高重复频率激光器的工作物质;装饰用立方氧化错通过掺杂氧化忆可获得稳定立方氧化错(ZrOZ一YZO3，88:12 mol%)，若同时掺入着色剂氧化饰可得到红色宝石，掺入氧化钻得到紫色宝石，掺入氧化铬可获得绿色宝石。锐酸锉(LINbO3)晶体是一种光电子功能材料，不仅在电光调制、光折变体相全息存储、倍频和参量振荡等方面有广泛应用，而且是最有希望的集成光学和光波导光学元件的基础材料。掺铁妮酸锉(LINbO3:Fe)晶体可用于全息存储，双掺视酸锉(LINbO3:Fe，Ce)晶体能提高晶体的存储特性，而LINbO3:Fe，Tb晶体既保留了LINbO3:Fe良好光折变性能，同时其光折变响应时间缩短，通常的杂质浓度小于0.lmol%。镁(Mg)进入晶体不仅可改变二次谐波(S HG)的相匹配温度以及减少晶体解理，同时高掺Mg(>4.smol%)能提高晶体抗光折变能力。此外，在钒酸锉晶体里某些金属扩散(如Ti)能形成波导层。 (刘建成)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条