2) metal insulator metal insulator semiconductor (MIMIS)
金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体
3) Metal-insulator-semiconductor
金属-绝缘层-半导体
4) nonmagnetic insulator (semiconductor) interlayer
非磁绝缘(半导)体间隔层
5) electrolyte-insulator-semiconductor
电解液/绝缘层/半导体
1.
The system PBS buffer/antibody/PS constituted an electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) structure,thus furnishing an impedance EIS nano-biosensor.
磷酸缓冲液(PBS)/抗体-氧化层/硅,构成电解液/绝缘层/半导体(electro-lyte-insulator-semiconductor,EIS)结构。
6) semi-insulating GaAs
半绝缘GaAs
1.
The dark resistivity of semi-insulating GaAs photoconductive-switch which work in non-linear mode before and after break down is studied.
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。
2.
The experiments show that,even if the semi-insulating GaAs photoconductive switch operates under the electrical field of 10.
用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射时 ,开关表现为线性工作模式 ,开关输出峰值电压为 0 8mV 。
补充资料：半绝缘砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条