1) semi-insulating
半绝缘的
2) semi-insulating GaAs
半绝缘GaAs
1.
The dark resistivity of semi-insulating GaAs photoconductive-switch which work in non-linear mode before and after break down is studied.
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。
2.
The experiments show that,even if the semi-insulating GaAs photoconductive switch operates under the electrical field of 10.
用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 2 0 0fs且单脉冲能量 0 2nJ的激光脉冲照射时 ,开关表现为线性工作模式 ,开关输出峰值电压为 0 8mV 。
3) semi-insulating
半绝缘
1.
Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials;
深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响
2.
A model is presented to describe a compensation mechanism for semi-insulating 6H-SiC grown with the intentional doping of vanadium.
研究了钒掺杂生长半绝缘6 H-SiC的补偿机理。
3.
The impurity distribution,doping activation mechanism,and interaction between Fe atoms and point defects in Fe-doped and annealed undoped semi-insulating(SI) InP materials are compared.
比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用。
4) semi-insulation SOI
半绝缘SOI
5) semi insulating
半绝缘
1.
Photoluminescence which is subtle to deep defect appears in IP annealed semi insulating InP.
对液封直拉 (L EC)非掺磷化铟 (In P)进行 930℃ 80 h的退火可重复制备直径为 5 0和 75 mm的半绝缘 (SI)衬底 。
2.
The electrical properties of annealed undoped n type InP are studied by temperature dependent Hall effect (TDH) and current voltage ( I V ) measurements for semiconducting and semi insulating samples,respectively.
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 。
6) semi insulated GaP
半绝缘GaP
1.
A piece of semi insulated GaP with high reflecting film for red beam in <100> direction is used as external probe tip.
用〈10 0〉面镀红光全反射膜的半绝缘GaP作为外部探头 ,提出以有效调制电压为测量对象 ,对外部电光测量装置进行了电场空间分辨率的测量 。
补充资料：半绝缘砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条