1) "immiserizing growth"trap
"贫困化增长"陷阱
2) poverty trap
贫困陷阱
1.
The article adopts Panel Data Model to carry out substantial evidence test regarding poverty traps in cities through the equally divided 5 parts of data of urban households income from 29 provinces(or municipal cities) in China.
本文采用我国29个省份城市居民收入5等份数据,运用Panel Data模型对我国城镇贫困陷阱问题进行分析。
2.
Based on a criticism of the "theory of the unique importance of capital" by development economics school,this paper puts forward that only by institutional innovation can developing countries stride across poverty trap and that political entrepreneurs with altruism are the motivating force of institutional innovation.
在批判发展经济学理论中的"唯资本论"的基础上,指出发展中国家要跨越贫困陷阱,关键在于通过制度创新摆脱对低效制度的路径依赖,而具有利他主义行为特征的政治企业家是推动制度创新的重要力量。
3.
This paper constructs a human capital economic growth model to indicate the important role that human capital plays in economic growth and gives a poverty trap hypothesis of economic growth resulting from human capital deficiency.
文章通过构建人力资本经济增长模型,说明人力资本在经济增长中的重要作用,并提出人力资本不足引起的经济增长"贫困陷阱"假说。
3) poor trap
贫困陷阱
1.
Because of this,some bad consequences will appear,that is justice deficiency,poor trap,rewarding the lazy and punishing the diligent.
但是其中一些隐性的缺陷逐渐出现,如灾区群众与非灾区群众、灾区困难群众与灾区非困难群众争讨"免费午餐"、接受救助的权利主体在救灾过程中"多被动服从,少主动参与"、社会生活救助方式上"重外部注入,轻内部培植"等,这些问题的出现就导致了奖懒罚勤、贫困陷阱和公平缺失等不良后果,造成了救助功能的缺失。
4) immiserizing growth
贫困化增长
1.
Analysis on Discrimination Mechanism and Appraise Index System for Preventing Immiserizing Growth;
防范“贫困化增长”的FDI甄别机制与评价指数的构建——论我国引资政策的合理设计
2.
Walk Out the Trap of Immiserizing Growth:Based on View of Factor;
走出贫困化增长“陷阱”:基于要素性质的分析
3.
Immiserizing Growth of China s Automobile Trade;
中国汽车贸易的贫困化增长
5) comparative impoverishment growth
相对贫困化增长
1.
However,the ingrained labor price competition will not only exacerbate trade frictions but also plunge us into "comparative advantage traps" resulting in comparative impoverishment growth and a block to the upgrade of the industrial structure which acts as a detriment of the transformation of economic development mode.
然而,根深蒂固的劳动力价格竞争不仅会加剧贸易摩擦,而且会使我方陷入"比较优势陷阱",造成相对贫困化增长,阻滞产业结构升级,不利于转变经济发展方式。
补充资料：陷阱
固体中能俘获及存储非平衡载流子的一种点阵不完整性。起陷阱作用的点阵不完整性包括晶体缺陷及化学杂质，它们通常在带隙中形成局域化的陷阱能级。被俘获的电子（空穴）会在陷阱位置停留一定时间直至热激发或受红外辐照而被重新释放到导带中。然后，这些电子（空穴）可按不同方式直接或间接地同电离中心或价带（导带）中的空穴（电子）复合。在此意义上，陷阱能级是固体带隙中的一种亚稳能级。
在一般半导体中杂质或缺陷（俘获载流子）的陷阱作用主要是对固体中存在非平衡载流子的情形讲的。而且只有明显起积累非平衡载流子作用的不完整性才被认为是有效的陷阱。如果用积累在陷阱能级上的非平衡载流子浓度Δnt同导带中的非平衡载流子浓度Δn之比来衡量陷阱作用的强弱，那末只有当Δnt与Δn相近甚至更大时,才有显著的陷阱效应。要满足这一陷阱条件,根据复合中心理论的分析,首先,这些能级必须具有很不相同的俘获电子和俘获空穴的几率，以致在实际应用中往往只需考虑对一种载流子的俘获而忽略另一种。而且，对一个有效的陷阱来说，更进一步要求它俘获了电子(空穴)后便几乎不再俘获空穴(电子)，否则，它只起复合中心的作用（见半导体物理学）。其次，要求这些能级的浓度必须同平衡载流子浓度相近或更大。据此，对于一般的半导体材料，如果电子是多数载流子(多子)，尽管能级俘获电子的几率很大。但陷阱能级的浓度通常比多子浓度小得多，因此仍然没有显著的陷阱效应；如果电子是少数载流子（少子），则只要存在微量（例如 1011～1013cm-3）的陷阱能级便可满足ΔntΔn，使大多数非平衡载流子都落入陷阱之中。所以平常遇到的大多是少子的陷阱效应。但对于发光体而言，带隙较大，热平衡载流子浓度小，起作用的常是多子的陷阱效应，这是动力学过程中的重要因素。
陷阱作用的强弱还同陷阱能级的深度 Et 及温度T有关。这表现为陷阱能级释放出电子的速率依赖于因子exp(-Et/kT)。对于能级位于费密能级EF上方的陷阱,热平衡时是空的，在非平衡条件下，这些能级愈深（即愈接近EF）对俘获电子愈有效，Et=EF时成为最有利的陷阱能级。对于EF下方的陷阱能级，由于热平衡时已经很满，其陷阱作用减弱。另一方面，降低温度也有利于这些能级起陷阱作用。温度变化时对陷阱作用强弱的影响使得有些杂质（例如Ge中的Ni）在某一温度下表现为陷阱在另一温度下则成为复合中心。
陷阱的存在往往显著地延长从非平衡到平衡的整个弛豫过程，因而对于同这一过程有关的许多现象都有重要的影响。例如在光电导体中引入少子陷阱会使其响应速度变慢但同时提高了光电导的灵敏度；在发光现象中，陷阱的存在直接影响到发光强度的增长和衰减；长余辉发光材料主要靠有效的陷阱及合适的深度。热释发光、光释发光更是以陷阱为依据，在半导体激光器的有源区如果存在陷阱，会使得激光输出时间延迟。
参考书目
黄昆、谢希德著：《半导体物理学》,科学出版社,北京，1958。
R.A.Smith, Semiconductors, 2nd ed., Cambridge Univ.Press, London, 1978.
在一般半导体中杂质或缺陷（俘获载流子）的陷阱作用主要是对固体中存在非平衡载流子的情形讲的。而且只有明显起积累非平衡载流子作用的不完整性才被认为是有效的陷阱。如果用积累在陷阱能级上的非平衡载流子浓度Δnt同导带中的非平衡载流子浓度Δn之比来衡量陷阱作用的强弱，那末只有当Δnt与Δn相近甚至更大时,才有显著的陷阱效应。要满足这一陷阱条件,根据复合中心理论的分析,首先,这些能级必须具有很不相同的俘获电子和俘获空穴的几率，以致在实际应用中往往只需考虑对一种载流子的俘获而忽略另一种。而且，对一个有效的陷阱来说，更进一步要求它俘获了电子(空穴)后便几乎不再俘获空穴(电子)，否则，它只起复合中心的作用（见半导体物理学）。其次，要求这些能级的浓度必须同平衡载流子浓度相近或更大。据此，对于一般的半导体材料，如果电子是多数载流子(多子)，尽管能级俘获电子的几率很大。但陷阱能级的浓度通常比多子浓度小得多，因此仍然没有显著的陷阱效应；如果电子是少数载流子（少子），则只要存在微量（例如 1011～1013cm-3）的陷阱能级便可满足ΔntΔn，使大多数非平衡载流子都落入陷阱之中。所以平常遇到的大多是少子的陷阱效应。但对于发光体而言，带隙较大，热平衡载流子浓度小，起作用的常是多子的陷阱效应，这是动力学过程中的重要因素。
陷阱作用的强弱还同陷阱能级的深度 Et 及温度T有关。这表现为陷阱能级释放出电子的速率依赖于因子exp(-Et/kT)。对于能级位于费密能级EF上方的陷阱,热平衡时是空的，在非平衡条件下，这些能级愈深（即愈接近EF）对俘获电子愈有效，Et=EF时成为最有利的陷阱能级。对于EF下方的陷阱能级，由于热平衡时已经很满，其陷阱作用减弱。另一方面，降低温度也有利于这些能级起陷阱作用。温度变化时对陷阱作用强弱的影响使得有些杂质（例如Ge中的Ni）在某一温度下表现为陷阱在另一温度下则成为复合中心。
陷阱的存在往往显著地延长从非平衡到平衡的整个弛豫过程，因而对于同这一过程有关的许多现象都有重要的影响。例如在光电导体中引入少子陷阱会使其响应速度变慢但同时提高了光电导的灵敏度；在发光现象中，陷阱的存在直接影响到发光强度的增长和衰减；长余辉发光材料主要靠有效的陷阱及合适的深度。热释发光、光释发光更是以陷阱为依据，在半导体激光器的有源区如果存在陷阱，会使得激光输出时间延迟。
参考书目
黄昆、谢希德著：《半导体物理学》,科学出版社,北京，1958。
R.A.Smith, Semiconductors, 2nd ed., Cambridge Univ.Press, London, 1978.
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