1) N-doped TiO2
N掺杂TiO2
1.
N-doped TiO2 films were deposited by arc ion plating method with different pulsed bias and then were annealed at 400 ℃ for 4 h in air.
本文利用电弧离子镀技术,施加不同脉冲偏压,在玻璃基体上沉积了N掺杂TiO2薄膜。
2) V and N co-doped TiO2
N、V共掺杂TiO2
3) N/TiO2
N掺杂TiO2化学试剂
5) Fe-doped TiO_2
铁掺杂TiO2
6) Zn-doped TiO_2
锌掺杂TiO2
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条