1) SiGe Heterojunction bipolar transistor(HBT)
锗硅异质结双极型晶体管
2) SiGe HBT
锗硅异质结双极晶体管
1.
Electrical performance of microwave transmission lines and passive elements on Si,and of SiGe HBT are analyzed.
本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点 ,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管 (Si Ge HBT)的电性能 ,介绍了目前国内外硅衬底微波集成电路研究的进展 ,并对数字电路与 RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨
3) SiGe HBT
锗硅异质结晶体管
1.
And making high linearitymicrowave power SiGe HBTs (heterojunction bipolar transistors) has been a projectwith high practical meaning.
锗硅技术因其良好的集成功能以及优越的高频性能而在微波功率器件领域和射频集成电路领域中得到了广泛的应用，而制造高线性度的微波功率锗硅异质结晶体管（SiGe HBT）也成为一个非常有实际意义的课题。
4) HBT
异质结双极型晶体管
1.
SiGe HBT Class AB Power Amplifier for Wireless Communications;
用于无线通信的SiGe异质结双极型晶体管AB类功率放大器(英文)
2.
Frequency performance is the first key factor in the design of heterojunction bipolar transistor(HBT),fTand fmax are the main frequency parameters.
频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标。
3.
An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported.
报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT)。
6) HBT (heterojunction bipolar transistor)
HBT(异质结双极型晶体管)
补充资料：异质结双极型晶体管
发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为"宽发射区"晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE（图1）。图中 N代表能带宽的区域。从发射区向基区注入的电子流 Ip和反向注入的空穴流Ip所克服的位垒高度是不同的,二者之差为墹Eg＝EgE-EgB,因而空穴的注入受到极大抑制。发射极效率主要由禁带宽度差墹Eg决定，几乎不受掺杂比的限制。这就大大地增加了晶体管设计的灵活性。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
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参考词条