Yb~（3+）掺杂,Yb~(3+)-doped,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Yb~(3+)-doped

Yb~（3+）掺杂

2) Yb~(3+) doped

镜Yb~（3+）掺杂

3) Yb~(3+)-doped

镱Yb~（3+）掺杂

4) Tm~(3+) and Yb~(3+) codoped

Tm~（3+）/Yb~（3+）掺杂

5) Er~(3+)/Yb~(3+) codoped

Er~（3+）/Yb~（3+）掺杂

6) Yb

MICROSTRUCTURES AND MECHANICAL PROPERTIES OF AS-CAST Mg-xYb AND Mg-xYb-0.4Zr ALLOYS;

Mg-xYb和Mg-xYb-0.4Zr合金的铸态组织及力学性能

Study on Growth and Cracking of Cr,Yb,Ho:YAGG Tunable Laser Crystal;

Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究

Synthesis of High Luminescent Y_2O_3∶Er,Yb Upconversion Nanocrystals;

高发光强度上转换材料Y_2O_3∶Er,Yb纳米晶的制备

参考词条

Yb~（3+） Yb-Nasicon Yb-Ni Yb:YAB Yb:glass NaYF4:Yb La/Yb Yb:GdAlO3 NF-YB Yb:YAG Y/Yb-Sr/Y-La/Yb Er:Yb（Ho:Yb）共掺杂 Yb:（Lu,Gd）VO4 Yb:GdVO_4晶体 Yb:YAG晶体掺Yb玻璃韧性-脆性材料界面裂纹齿龈肿痛

补充资料：半导体材料掺杂

半导体材料掺杂
doping for semiconductor material

bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) Yb~(3+)-doped Yb~（3+）掺杂 2) Yb~(3+) doped 镜Yb~（3+）掺杂 3) Yb~(3+)-doped 镱Yb~（3+）掺杂 4) Tm~(3+) and Yb~(3+) codoped Tm~（3+）/Yb~（3+）掺杂 5) Er~(3+)/Yb~(3+) codoped Er~（3+）/Yb~（3+）掺杂 6) Yb Yb 1. MICROSTRUCTURES AND MECHANICAL PROPERTIES OF AS-CAST Mg-xYb AND Mg-xYb-0.4Zr ALLOYS; Mg-xYb和Mg-xYb-0.4Zr合金的铸态组织及力学性能 2. Study on Growth and Cracking of Cr,Yb,Ho:YAGG Tunable Laser Crystal; Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究 3. Synthesis of High Luminescent Y_2O_3∶Er,Yb Upconversion Nanocrystals; 高发光强度上转换材料Y_2O_3∶Er,Yb纳米晶的制备参考词条 Yb~（3+） Yb-Nasicon Yb-Ni Yb:YAB Yb:glass NaYF4:Yb La/Yb Yb:GdAlO3 NF-YB Yb:YAG Y/Yb-Sr/Y-La/Yb Er:Yb（Ho:Yb）共掺杂 Yb:（Lu,Gd）VO4 Yb:GdVO_4晶体 Yb:YAG晶体掺Yb玻璃韧性-脆性材料界面裂纹齿龈肿痛补充资料：半导体材料掺杂半导体材料掺杂 doping for semiconductor material bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群) 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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