1) silicon bicrystal
硅双晶
1.
High T_c DC-SQUIDs with silicon bicrystal junctions;
硅双晶结高温超导直流量子干涉器件
2) double poly-silicon
双层多晶硅
1.
Design of a double poly-silicon self-aligned PNP transistor for C-bipolar technology;
一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计
3) Double-polysilicon-gate
双多晶硅栅
4) silicon dipole transistor
硅双极晶体管
1.
In order to research the relationship between ESD injected times and latent damage in silicon dipole transistors,HBM ESD impulses were injected into their most sensitive ports to ESD.
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验。
5) Silicon bipolar junction transistor
硅双极型晶体管
6) Silicon wafer polished both sides
双面抛光硅单晶
补充资料：氮化硅晶须补强碳化硅陶瓷复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它既保留了碳化硅陶瓷优良的耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、耐磨等性能，又具有比碳化硅陶瓷更高的强度和韧性，最高使用温度可达1400℃以上。由于氮化硅晶须与碳化硅陶瓷基体具有较好的物理相容性，化学性质相近，界面的结合力较强。该复合材料的烧结温度高，界面控制困难，成本高，主要用于航空、航天领域的高温部件。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它既保留了碳化硅陶瓷优良的耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、耐磨等性能，又具有比碳化硅陶瓷更高的强度和韧性，最高使用温度可达1400℃以上。由于氮化硅晶须与碳化硅陶瓷基体具有较好的物理相容性，化学性质相近，界面的结合力较强。该复合材料的烧结温度高，界面控制困难，成本高，主要用于航空、航天领域的高温部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条