1) double polysilicon emitter transistor
双层多晶硅发射极晶体管
2) polysilicon emitter teansistor
多晶硅发射极晶体管
3) dual emitter transistor
双发射极晶体管
4) met.
多发射极晶体管
5) Polysilicon emitter
多晶硅发射极
1.
After a brief analysis of the advantages of polysilicon emitter bipolar transistors, a new technological process for the transistors is designed in this paper according to the bipolar technology available in our country, and the layout of a minimum size transistor is represented.
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
2.
Form a very small base width and adjustable uniform by using the special whole area structure, uniform polysilicon emitter buffer layer can form a uniform light emitter, which laid the foundation for the production of high-frequency devices.
本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套完整的1μm制备微波晶体管工艺。
6) silicon dipole transistor
硅双极晶体管
1.
In order to research the relationship between ESD injected times and latent damage in silicon dipole transistors,HBM ESD impulses were injected into their most sensitive ports to ESD.
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条