2) switching GaAs PHEMT
GaAs PHEMT开关
1.
The modeling of switching GaAs PHEMT was introduced, and the modeling method by using the microwave circuit design software named ADS was discussed, and the model parameters and the curve of both simulated and measured results were presented.
论述了GaAs PHEMT开关器件的建模,介绍了利用微波电路设计软件ADS建立GaAs PHEMT 开关模型的方法,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。
4) GaAs photoconductive switch
GaAs光电导开关
1.
Some problems about generation ultrashort electronic pulses using SI-GaAs photoconductive switches are investigated in this paper.
本文研究了用半绝缘GaAs光电导开关产生超短电磁脉冲的有关问题。
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条