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1)  GaAs PCSS
GaAs半导体光导开关
2)  GaAs photoconductive semiconductor switches (PCSS s)
GaAs光导开关
3)  semi-insulating GaAs photoconductive switch
半绝缘GaAs光电导开关
4)  Semi-insulated GaAs photoconductor switch
半绝缘GaAs光导开关
5)  GaAs-PCSS
光导半导体开关
1.
The design of strip Blumlein line was presented with the polymer-composite as energy storage dielectric and GaAs-PCSS as circuit switch.
以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质,砷化镓光导半导体开关作为开关,设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。
6)  GaAs photoconductive switch
GaAs光电导开关
1.
Some problems about generation ultrashort electronic pulses using SI-GaAs photoconductive switches are investigated in this paper.
本文研究了用半绝缘GaAs光电导开关产生超短电磁脉冲的有关问题。
补充资料:Ga

元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31

元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓

相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8

外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3

同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃

原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃

常见化合物: gao ga2o ga2o3

发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国

名称由来:

拉丁文:gallia(法国)。

元素描述:

柔软的蓝白色金属。

元素来源:

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途:

用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条