1) leading frame copper alloy
电子引线框架铜合金
2) C194 alloy lead frame
C194合金引线框架
3) copper-based lead frame
铜基引线框架
1.
In this paper, the property requirements of copper-based lead frame material used in intergrate circuit are reviewed,and the uppermost requirement being electricity conductivity and strength is pointed out.
综述了集成电路对铜基引线框架材料的性能要求,指出好的导电导热和强度性能是引线框架材料最主要的性能要求;讨论了铜基引线框架材料的国内外研究现状,指出我国的引线框架材料无论是质量还是数量都与其他工业发达国家有很大的差距,并指出微合金化铜基材料具有成为高强高导引线框架材料的潜力。
4) lead frame
引线框架
1.
Study on heat treatment process of C194 copper alloy for lead frame;
引线框架用铜合金C194热处理工艺研究
2.
Development of Cu-Ni-Si alloy for lead frame;
引线框架用Cu-Ni-Si合金的发展
3.
Microstructure and properties of Cu-Ni-Si based alloys for lead frame;
Cu-Ni-Si基引线框架合金的组织和性能
5) Leadframe
引线框架
1.
When the leadframe made of 4J42 alloy is brazed to the brazing zone of an alumina substrate using an AgCu28 filler in ceramic DIP production, the liquid filler often flows onto the surface of the leadframe after brazing, and the quality of finished products is influenced greatly.
陶瓷DIP外壳需要使用AgCu28钎料将4J42合金引线框架与陶瓷基板的焊区钎焊在一起,焊后易出现钎料在引线框架上流淌的问题,影响产品的质量。
2.
Inthispaper,themicrostructuresandtheirchangesinhightemperatureoftheinterfacesbetweenfourcivilcopperalloysforleadframeandSn -Pbsolderalloysarestudied .
研究了四种国产引线框架用铜合金与Sn -Pb共晶焊料的界面结构及其在高温保温过程中的变化。
3.
It was discussed the leadframe driving structure moving along line intermittently, especially the principle of the 3D cam in the designed die bonder.
讨论了IC芯片粘片机的引线框架直线间歇式供送机构和空间凸轮的工作原理。
6) lead-frame
引线框架
1.
Effect of Rare Earth on Oxidation Performance of Cu Alloys for Lead-frame;
稀土对引线框架用铜合金氧化性能的影响
2.
The simulation results show that parameters such as material,shape and the thickness of the lead-frame have immediate effects on the thermal performance.
介绍了AutoTherm软件热分析流程,通过仿真分析了集成电路封装中引线框架的形状、厚度、材料等参数对集成电路热性能的影响,提出了设计具有良好导热性能引线框架的条件,即尽量选用导热系数大的合金材料做引线框架。
补充资料:合金电子理论
反映合金中电子运动特点的理论。人们对"合金"一词通常有广义、狭义两种理解,狭义的合金指以某金属元素为基质的固溶体,广义合金则还包括金属间化合物以及多相的材料。文献中"合金的电子理论"多作狭义理解,本条也是这样。
固体的多电子理论对合金适用。对晶态的合金来说,能带论的原理也基本适用。但是合金与纯元素相比有根本的区别,即它是由多种不同的原子组成。因此合金的电子理论必须分析处理由此而引起的一系列新问题。
先考虑二元稀固溶体的情况。合金的点阵结构与一种元素A相同,且A原子占绝大多数,称为基质(或溶剂)原子;另一种元素B的原子在合金中很少,称为杂质(或溶质)原子。在这种合金中,电子运动的性质近似于纯元素A,可以把合金电子看成是在A元素点阵的周期场中运动。但是在杂质原子占据的阵点附近,由于B与A不同,周期场受到扰动。这种势场的扰动引起一些新效应。
首先,合金的传导电子在杂质附近受到弹性散射。B与A的差异愈大,散射截面也愈大。这种散射是合金在低温下的剩余电阻的重要来源(见固体的导电性)。
G.夫里德耳在50年代用自由电子弹性散射的分波法处理过电子被杂质散射的问题,证明杂质弹性散射的分波相移遵守一个求和关系。 (1)
式中Z是杂质扰动势所对应的正电荷数,ηL(EF)是费密能量(见费密面)的角动量量子数 L的分波散射相移。这关系称夫里德耳求和律。式 (1)右边这项的意义是掺入杂质后,费密能量以下的总的状态数和原来自由电子气的这个总状态数的差。所以夫里德尔求和律的物理意义是明显的。某些情况下,杂质引进的态可能是相当局域于杂质原子近旁的。
杂质扰动势会受到电子气的屏蔽。但由于电子的波动性,杂质扰动势造成的电子散射,相当于在杂质原子附近产生某种驻波,所以,杂质原子周围的电子密度 ρe(r)随距离r振荡式地变化。在r比较大处,ρe(r)渐近于。 (2)
式中сF和 嗞F是常数kF是费密波数。这种电子密度振荡已为核磁共振实验所证实,称夫里德耳振荡。因此,杂质的屏蔽势也和简单的经典图像不同,随距离作振荡变化。
杂质原子也影响合金的电子能谱。最简单的模型是这样:合金的电子能谱是在一个假想的纯净晶体势场中运动电子的能谱,这个假想的纯净晶体势是基质原子A的势VA和杂质原子B的势VB的简单平均V0=xAVA+(1-xA)VB, (3)
式中xA是A原子的百分比。而把实际晶体势和V0的偏离当作引起散射的根源。这种近似称虚点阵近似。
在这个意义下,纯净晶体的能带、布里渊区、能带填充等概念对合金都可适用。W.休谟-饶塞里曾经从布里渊区的填充情况成功地说明某些合金的结构与成分(平均电子浓度)的关系。
但是,虚点阵近似只是零级近似。1967年以来发展了一种更普遍有效的方法,称"相干势近似"方法。根据这个方法,可以自洽地逐级造出一个假想的纯净晶体"势"(一般说这不是普遍意义下的势,而是一个算符),使不同的原子的无序分布所产生的散射效果逐级地统计相消。这种方法在研究合金的各种性质中得到广泛的应用。
如果组成合金的两种或几种不同原子都是作有规则的周期排列,就成了"有序合金"。它实质上是一种金属间化合物。其传导电子的运动可用复式点阵的能带论方法处理。
固体的多电子理论对合金适用。对晶态的合金来说,能带论的原理也基本适用。但是合金与纯元素相比有根本的区别,即它是由多种不同的原子组成。因此合金的电子理论必须分析处理由此而引起的一系列新问题。
先考虑二元稀固溶体的情况。合金的点阵结构与一种元素A相同,且A原子占绝大多数,称为基质(或溶剂)原子;另一种元素B的原子在合金中很少,称为杂质(或溶质)原子。在这种合金中,电子运动的性质近似于纯元素A,可以把合金电子看成是在A元素点阵的周期场中运动。但是在杂质原子占据的阵点附近,由于B与A不同,周期场受到扰动。这种势场的扰动引起一些新效应。
首先,合金的传导电子在杂质附近受到弹性散射。B与A的差异愈大,散射截面也愈大。这种散射是合金在低温下的剩余电阻的重要来源(见固体的导电性)。
G.夫里德耳在50年代用自由电子弹性散射的分波法处理过电子被杂质散射的问题,证明杂质弹性散射的分波相移遵守一个求和关系。 (1)
式中Z是杂质扰动势所对应的正电荷数,ηL(EF)是费密能量(见费密面)的角动量量子数 L的分波散射相移。这关系称夫里德耳求和律。式 (1)右边这项的意义是掺入杂质后,费密能量以下的总的状态数和原来自由电子气的这个总状态数的差。所以夫里德尔求和律的物理意义是明显的。某些情况下,杂质引进的态可能是相当局域于杂质原子近旁的。
杂质扰动势会受到电子气的屏蔽。但由于电子的波动性,杂质扰动势造成的电子散射,相当于在杂质原子附近产生某种驻波,所以,杂质原子周围的电子密度 ρe(r)随距离r振荡式地变化。在r比较大处,ρe(r)渐近于。 (2)
式中сF和 嗞F是常数kF是费密波数。这种电子密度振荡已为核磁共振实验所证实,称夫里德耳振荡。因此,杂质的屏蔽势也和简单的经典图像不同,随距离作振荡变化。
杂质原子也影响合金的电子能谱。最简单的模型是这样:合金的电子能谱是在一个假想的纯净晶体势场中运动电子的能谱,这个假想的纯净晶体势是基质原子A的势VA和杂质原子B的势VB的简单平均V0=xAVA+(1-xA)VB, (3)
式中xA是A原子的百分比。而把实际晶体势和V0的偏离当作引起散射的根源。这种近似称虚点阵近似。
在这个意义下,纯净晶体的能带、布里渊区、能带填充等概念对合金都可适用。W.休谟-饶塞里曾经从布里渊区的填充情况成功地说明某些合金的结构与成分(平均电子浓度)的关系。
但是,虚点阵近似只是零级近似。1967年以来发展了一种更普遍有效的方法,称"相干势近似"方法。根据这个方法,可以自洽地逐级造出一个假想的纯净晶体"势"(一般说这不是普遍意义下的势,而是一个算符),使不同的原子的无序分布所产生的散射效果逐级地统计相消。这种方法在研究合金的各种性质中得到广泛的应用。
如果组成合金的两种或几种不同原子都是作有规则的周期排列,就成了"有序合金"。它实质上是一种金属间化合物。其传导电子的运动可用复式点阵的能带论方法处理。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条