1) laser-induced gas-phase reaction
激光诱导气相反应
1.
In order to prepare the high-temperature radar absorbing materials,nano SiC,Si3N4 and SiC(N) powders were synthesized from SiH4?C2H2,SiH4-N2H3 and hexamethyldisilazane ((Me3Si)2NH) (Me:CH3),by a laser-induced gas-phase reaction.
为了制备耐高温吸波材料,用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷[(Me3Si)2NH](Me:CH3)、乙炔、硅烷和氨气为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置分别制备了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体,纳米粉体的粒径为20～30nm。
2) Laser-induced reaction
激光诱导反应
3) laser induced self propagating reaction
激光诱导自蔓延反应
1.
Noticing that strong exothermic reaction due to large negative enthalpy of mixing can occur among major components of bulk metallic glass forming alloy systems, a new technique to fabricate an amorphous based composite material using laser induced self propagating reaction synthesis (LSRS) is developed.
利用构成Zr基大块非晶合金体系的主要组元之间具有很大的负混合焓而能发生很强放热反应的特点 ,设计了激光诱导自蔓延反应合成大块非晶合金的工艺。
4) pulsed-laser-induced reactive method
脉冲激光诱导反应
6) laser induced chemical vapor deposition
激光诱导化学气相沉积
1.
By using laser induced chemical vapor deposition method,amorphous silicon nitride nano-powders were prepared.
采用激光诱导化学气相沉积法制备出超细(7~15 nm)、理想化学剂量(N/Si=1。
补充资料：激光诱导化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条