2) laser induced gas phase reaction
激光诱导气相合成
3) laser induced chemical vapor deposition
激光诱导化学气相沉积
1.
By using laser induced chemical vapor deposition method,amorphous silicon nitride nano-powders were prepared.
采用激光诱导化学气相沉积法制备出超细(7~15 nm)、理想化学剂量(N/Si=1。
4) laser-induced chemical synthesis
激光气相化学合成
5) laser induced chemical vapour deposition (LICVD)
激光诱导化学气相沉积(LICVD)
6) LCLD
激光诱导化学液相沉积
1.
Based on introducing laser-induced chemical liquid deposition(LCLD) technology,a new type of RP system graph based on the technology was presented,and its work process was introduced.
在介绍激光诱导化学液相沉积(LCLD)技术的基础上,本文提出了一种基于该技术的新型快速成型方法,给出了其成型系统原理图,并详细介绍了系统的工作过程。
补充资料：激光诱导化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条