1) CVD-W
化学气相沉积纯钨
1.
The EBSD technology is used to determine the grain orientation microstructure of CVD-W, as well as Hopkinson bar to carry out high strain rate compression tests, in order to investigate the effects of deposition microstructure on the grain boundary and the grain boundary on the plastic deformation.
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。
2) WCVD
化学气相沉积钨
1.
WCVD can selective deposit on metal and Silicon.
WCVD的填孔能力主要受器件的结构设计(孔的蚀刻轮廓,大小及深宽比),衬底的阻挡层类型以及化学气相沉积钨工艺本身的参数影响。
3) chemical vapor deposition
化学气相沉积
1.
Study on PPy/UHMWPE fiber prepared by chemical vapor deposition;
化学气相沉积PPy/UHMWPE纤维的研究
2.
Preparation of In_2O_3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method;
单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线
3.
Dielectric properties of aluminum-doped silcion carbide using chemical vapor deposition;
化学气相沉积铝掺杂碳化硅的微波介电特性
4) chemical vapour deposition
化学气相沉积
1.
Preparation of tellurium films with spectral selectivity by chemical vapour deposition method;
化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜
2.
Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition;
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
3.
A new glass coating technology to combine the method of ionic pervasion colouration with the technique of chemical vapour deposition was adapted.
将离子渗透着色技术(IPC)和化学气相沉积技术(CVD)加以结合,在浮法玻璃生产线的锡槽内和AO区进行2次镀膜形成复合膜,克服了单一镀膜技术存在的不足。
5) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积(CVD)
6) CLD modification
化学气相硅沉积
1.
SiO2-CLD modification for ZSM-5 acidity was investigated by pyrolysis gas chromatography-mass spectrometer (PGC-MS), Py-IR, NH3-TPD.
目前,各种改性方法已被用于提高ZSM-5的选择性,例如金属、非金属化合物的浸渍,化学气相硅沉积(SiO2-CVD)和预结焦处理等1。
补充资料：化学纯
化学纯
化学纯（化学纯粹试剂，chemically pure，cp，三级品）：
标签为中蓝。
用于要求较低的分析实验和要求较高的合成实验。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。