1) metal unsaturated silicon compounds
金属不饱和硅化物
1.
Five species of silicon-containing metal compounds including metal complexes formed by silicon atom or heterosilicon chain as bridge,metallosiloxanes,silylmetal complexes,metal unsaturated silicon compounds and silicon-containing multimetallic compounds are introduced in this review.
本文综述了以硅原子或硅杂链为配体的桥形成的金属络合物、金属硅氧烷、硅-金属化合物、金属不饱和硅化物和含硅多金属络合物5种含硅金属化合物的研究进展,并对该领域的研究方向提出了展望。
2) metal silicide
金属硅化物
1.
Microstructure and wear resistance of laser melt deposited Mo/Mo_(2)Ni_(3)Si metal silicide alloys;
激光熔化沉积Mo/Mo_2Ni_3Si金属硅化物合金显微组织与耐磨性
2.
A wear resistant Cr-Cu-Si metal silicide alloy having a microstructure consisting of the primary dual-phase dendrite with a Cr5Si3 core encapsulated by CrSi phase and the interdendritic ductile Cu-based solid solution was fabricated by the laser melting process.
利用激光熔炼材料制备技术,制得了由铜基固溶体增韧的Cr5Si3/CrSi金属硅化物新型耐磨合金,分析了合金的显微组织结构,测定了合金的显微硬度,考察了合金在室温干滑动磨损条件下的耐磨性能。
3.
Wear resistant Cu_(ss)/Cr_5Si_3 metal silicide composite coating was fabricated on a substrate of an austenitic stainless steel 1Cr18Ni9Ti by laser cladding process.
利用激光熔覆技术在奥氏体1Cr18N i9Ti不锈钢表面制备出由Cuss增韧铜基固溶体(Cr5S i3)金属硅化物新型耐磨复合涂层,分析了其显微组织,并在室温干滑动摩损条件下评价其耐磨性能。
4) unsaturated compound
不饱和化合物
1.
The research progress of indole with unsaturated compound of reaction;
吲哚与不饱和化合物反应的研究进展
5) unsaturate alkane compound
不饱和烃化合物
6) unsaturated silylene
不饱和硅烯
1.
This paper respectively takes the abstraction reactions from oxirane and thiirane by silylidene and germylidene as model reactions to investigate the reaction mechanisms of these abstraction reactions, which aims at revealing the reaction mechanisms of the abstraction reactions from oxirane and thiirane by unsaturated silylene and unsaturated germylene compounds.
本文主要以亚烷基硅烯和亚烷基锗烯与环氧乙烷及环硫乙烷的抽提氧和硫的反应为理论研究模型,系统地研究了它们之间所发生的反应机理,旨在探讨不饱和硅烯及不饱和锗烯与环氧乙烷和环硫乙烷反应的机制。
补充资料：金属硅化物
分子式：
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条