1) transition metal silicide
过渡金属硅化物
2) transition metal silicide Cr3Si
过渡金属硅化物Cr3Si
3) transition metal-silicon
过渡族金属硅化物
4) transition metal dichaldogenide
过渡金属硫化物
1.
The recent progress of inorganic-fullerene-like transition metal dichaldogenide nanomaterials were described as MX2(M=Mo、W;X=S、Se).
介绍了过渡层状金属硫化物MX2(M=Mo、W;X=S、Se)的结构和独特的性质,综述了无机类富勒烯过渡金属硫化物纳米材料的摩擦学研究现状和近年来的研究成果。
5) transition metal oxide
过渡金属氧化物
1.
The research advances of polymer-transition metal oxide composite cathode;
聚合物-过渡金属氧化物纳米复合阴极材料的研究进展
2.
Research progress in supercapacitor used transition metal oxides
超级电容器用过渡金属氧化物的研究进展
3.
Cordierite-transition metal oxide infrared radiation materials were prepared with A and B samples which were selected for their high emissivity.
以过渡金属氧化物Fe2O3、MnO2为主要组分,掺入NiO、Co2O3、CuO,通过固相烧结制备红外辐射材料;优选发射率较高的A、B试样与堇青石复合制备堇青石-过渡金属氧化物红外辐射材料,并将制得的红外辐射材料作为功能填料制备辐射型隔热涂料,并对其隔热机理进行了探讨。
6) transition metal sulfide
过渡金属硫化物
1.
Latest researches in preparation of transition metal sulfides nanoparticles;
过渡金属硫化物纳米粒子制备技术研究进展
补充资料：金属硅化物
分子式：
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条