1) Four Mask
四次光刻
2) 5PEP
5次光刻
1.
Process of TFT 5PEP of Back-Channel-Etching and Back-Channel Protection;
TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
3) Smooth quartic curves
光滑四次曲线
4) DVD-R
DVD类一次性可刻录光盘
5) lithography
[英][lɪ'θɔɡrəfi] [美][lɪ'θɑgrəfɪ]
光刻
1.
On the development of the study of thick photoresist lithography techniques;
厚层抗蚀剂光刻技术研究进展
2.
Gray-tone lithography for microopto-device of arbitrary 3D shaped surfaces;
任意三维表面微型光器件的灰度光刻技术
3.
Design and assembly of projection lithography lens;
光刻机镜头的结构设计与装配
6) photolithography
[英][,fəutəli'θɔgrəfi] [美][,fotolɪ'θɑgrəfɪ]
光刻
1.
Progress and Development Trend of Photolithography and Photoresist;
光刻与光刻胶的研究与发展
2.
The analysis of figure′s widen and study of its minished in photolithography and etching for thick photoresist;
厚胶光刻蚀刻中的图形展宽分析与改善研究
3.
Research on SU-8 resist photolithography process;
SU-8胶光刻工艺研究
补充资料：1,3,5,7-四甲基四乙烯基环四硅氧烷
分子式：[CH3(CH2＝CH)SiO]4
CAS号：
性质：沸点224～224.5℃(101.06kPa)。熔点-43.5℃±0.1℃。相对密度0.9875。折射率1.4342。与八甲基环四硅氧烷性能相似，在微量硅醇钠、硅醇钾或少量浓硫酸作用下，Si-O-Si键断裂重排，生成直链的聚硅氧烷和环状硅氧烷的混合物。 Si-CH＝CH2键在有机过氧化物存在下，可进行游离基聚合反应。在铂催化剂存在下，可与Si—H键发生加成反应。可由甲基乙烯基二氯硅烷的水解料催化裂解来制取。用来合成有机硅中间体及高分子化合物提供活性交联点之用，是制备硅橡胶不可缺少的原料之一。
CAS号：
性质：沸点224～224.5℃(101.06kPa)。熔点-43.5℃±0.1℃。相对密度0.9875。折射率1.4342。与八甲基环四硅氧烷性能相似，在微量硅醇钠、硅醇钾或少量浓硫酸作用下，Si-O-Si键断裂重排，生成直链的聚硅氧烷和环状硅氧烷的混合物。 Si-CH＝CH2键在有机过氧化物存在下，可进行游离基聚合反应。在铂催化剂存在下，可与Si—H键发生加成反应。可由甲基乙烯基二氯硅烷的水解料催化裂解来制取。用来合成有机硅中间体及高分子化合物提供活性交联点之用，是制备硅橡胶不可缺少的原料之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条