1) pellosil HS (HC)
薄膜二氧化硅凝胶
2) vanadium pentoxide xerogel films
五氧化二钒凝胶薄膜
3) silicon dioxide films
二氧化硅薄膜
1.
FT-IR study of silicon dioxide films fabricated by rapid thermal oxidation;
快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究
5) Silica film
二氧化硅薄膜
1.
Without doping,plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silica films on Si substrates with gas mixtures of SiH_4 and N_2O is considered.
以硅烷和氧化二氮作为反应气体 ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,不使用掺杂 ,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。
6) SiO2 films
二氧化硅薄膜
1.
The high tin-doped SiO2 films prepared by CVD will bring some crystals,but sol gel can control the accurate chemical component of the films.
由于普通的化学气相沉积法制作高掺Sn的二氧化硅薄膜比较容易产生结晶,而溶胶-凝胶法制备薄膜化学组成比较容易控制,可以制作出掺Sn浓度较大的材料。
补充资料：硅-氧化钠-五氧化二钒系湿敏材料
分子式：
CAS号：
性质：一种感湿体材料。主晶相为硅粉，氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率，氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分，受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢，吸湿时间≥5min，脱湿时间≥l0min，宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调，工作寿命长。
CAS号：
性质：一种感湿体材料。主晶相为硅粉，氧化钠和五氧化二钒起助熔体和黏结作用。680℃固相烧结法制取。游离硅粒保证瓷体的低电阻率，氧化钠和五氧化二钒有利于吸收水分，受潮后使硅粒之间的电阻值显著下降。材料响应速度慢，吸湿时间≥5min，脱湿时间≥l0min，宜用于中湿和湿度变化不太快的场合。制作的湿敏元件体积小、机械强度好、阻值范围可调，工作寿命长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条