1) Si rich SiO 2 films
富硅二氧化硅薄膜
1.
Si rich SiO 2 films have been prepared by a rf magnetron sputter method.
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。
2) silicon dioxide films
二氧化硅薄膜
1.
FT-IR study of silicon dioxide films fabricated by rapid thermal oxidation;
快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究
4) Silica film
二氧化硅薄膜
1.
Without doping,plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silica films on Si substrates with gas mixtures of SiH_4 and N_2O is considered.
以硅烷和氧化二氮作为反应气体 ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,不使用掺杂 ,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。
5) SiO2 films
二氧化硅薄膜
1.
The high tin-doped SiO2 films prepared by CVD will bring some crystals,but sol gel can control the accurate chemical component of the films.
由于普通的化学气相沉积法制作高掺Sn的二氧化硅薄膜比较容易产生结晶,而溶胶-凝胶法制备薄膜化学组成比较容易控制,可以制作出掺Sn浓度较大的材料。
6) ultrathin SiO 2 films
二氧化硅超薄膜
1.
Surface morphology and local electronic properties of ultrathin SiO 2 films grown by in situ thermal oxidation on Si(111) substrates in ultrahigh vacuum have been investigated by using scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS) at room temperature.
用超高真空热氧化方法在Si(1 1 1 )清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜 ,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。
补充资料：二氧化硅薄膜介质材料
分子式：SiO2
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条