2) mean-reversion
均值回复
1.
An Empirical Test of Mean-reversion Hypothesis of Short-term Interest Rate in China;
我国短期利率均值回复假设的实证研究
2.
The Nonlinear and Mean-reversion Characteristics of Stock Index Futures in Simulation Trading Market;
股指期货仿真市场非线性特征和均值回复特征研究
3.
At the same time there is no significant mean-reversion for the abnormal returns before and after the formation period in both 2000 semiannual .
中国证券投资基金存在一定程度的正反馈交易行为;形成期羊群效应较高的组合在形成期之前一个季度、半年、一年以及形成期当期的超常收益率较高;形成期之前一个季度、半年、一年以及形成期当期的超常收益率较高的组合的形成期羊群效应较高;2000年年报显示,基金的羊群行为有助于市场的稳定;同时,2000年中报和2001年中报也没有发现形成期前后股票组合超常收益率明显的均值回复现象;基金羊群行为方向与股票组合超常收益率不相关。
3) Mean Reversion
均值回复
1.
Mean Reversion Behavior of the RMB Exchange Rate;
人民币汇率均值回复性质的研究
2.
This paper exames whether Chinese stock indixes follow a random walk or indicate a mean reversion process by employing the Variance Ratio(VR) test.
基于沪深股市自建立以来的月A股价指数序列,采用方差比检验法,对两市A股股价指数是“随机游走”,还是存在“均值回复”的假设进行实证分析。
3.
This paper applies the techniques of seemingly unrelated regression and bootstrap simulation to do an empirical study and finds strong evidence of mean reversion in Shanghai stock market.
本文运用似无关回归(SUR)和Bootstrap仿真技术研究发现我国上海股票市场股票价格具有显著的均值回复性。
4) the mean of linear complexity
线性复杂度均值
1.
In this paper,we have studied the third open problem: For the fixed position integer N,We studied the mean of linear complexity about all the sequences of period N on the field GF(q).
研究了丁存生、肖国镇在文献[2]里提出了与流密码有关的20个研究问题中的第三个问题:对于给定正整数N,研究域GF(q)上所有以N为周期的序列之线性复杂度均值,获得下述结果:对于给定正整数N,域GF(q)上以N为周期的无限序列之线性复杂度均值EN(L(s∞))
5) nonlinear auto-regressive moving average
非线性自回归平均模型
6) aperiodic recovery
非周期性恢复(至给定值);非周期回复
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条