1) hysteresis nonlinearity
回滞非线性
2) nonlinear hysteresis
非线性滞回
1.
On account of the complex nonlinear hysteresis behaviour of piezoceramic actuator,in this paper,a novel electromechanical coupling nonlinear lumped-parameter(ECNLP)model of piezoelectric dynamic system is proposed.
针对压电陶瓷驱动器中存在的复杂非线性滞回动力学特性,首先建立了一种新型机电耦合非线性集总参数(Elec- tromechanical coupling nonlinear lumped-parameter,ECNLP)模型。
2.
For control algorithm design, the amplitude-frequency and phase-frequency characteristics and the nonlinear hysteresis of PZT are studied in detail.
本文研究了聚焦模块中执行器压电陶瓷(PZT)的幅相频特性和非线性滞回效应,在控制算法方面,使用了PI算法闭环控制结合逆系统和逆非线性滞回模型进行校正,实现了高精度的动态聚焦伺服,在盘片转速为8 r/s时聚焦偏差在±130 nm内。
3) hysteresis nonlinearity
滞回非线性
1.
In order to compensate its inherent hysteresis nonlinearity and improve its precision of a giant magnetostrictive actuator(GMA),a real-time hysteretic compensation control strategy was proposed,combining a feedforward cerebellar model articulation controller(CMAC) and a proportional integral derivative(PID) feedback controller to realize the precision position tracking control of the GMA.
为了补偿超磁致伸缩作动器(GMA)内在的滞回非线性提高其精度,将小脑神经网络(CMAC)前馈和PID反馈控制器相结合,提出了一种实时滞回补偿控制策略,以期实现GMA的高精度跟踪控制。
4) nonlinear hysteresis behavior
非线性滞回特性
6) nonlinear hysteresis loop
非线性滞回圈
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条