1) main frequency power
主频功率
2) power-frequency
功率–频率
3) RF-power
射频功率
1.
Fluorinated amorphous hydrogenated carbon(a-C∶F∶H) thin films were deposited by RF plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF_4 and CH_4 as source gases at different RF-power and deposition temperatures and annealed in N_2 atmosphere.
本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。
2.
The influence of different RF-power on the crystal structures,surface morphologies and optical properties of ZnO thin films fabricatied on ITO(In_2O_3:Sn)substrates was investigated.
结果表明,随着射频功率的提高,沿(002)方向生长的ZnO薄膜的结晶度显著增强,薄膜的表面颗粒略有减小,表面粗糙度由13。
3.
Amorphous fluorinated carbon films were deposited by PECVD using CH 4 and CF 4 as source gases at different RF-power.
以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品。
4) radio frequency power
射频功率
1.
Results show that the radio frequency power and the pressure in the reaction chamber are two main factors that affect the depositing rate distribution of PECVD and both are constrained by the linear relationship p = kW.
结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳。
5) RF power
射频功率
1.
Effect of RF power on the structure and properties of diamond-like carbon films;
射频功率对类金刚石薄膜结构和性能的影响
2.
Design of RF Power LDMOS Device;
射频功率LDMOS器件设计
3.
The influence of RF power and oxygen ratio on the grain size,the residual stress and optical properties was investigated by X-ray diffraction and transmission spectra.
通过XRD和透射光谱研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态和光学性能的影响。
补充资料：处理器主频
主频也叫时钟频率，单位是MHz，用来表示CPU的运算速度。CPU的工作频率（主频）包括两部分：外频与倍频，两者的乘积就是主频。倍频的全称为倍频系数。CPU的主频与外频之间存在着一个比值关系，这个比值就是倍频系数，简称倍频。倍频可以从1.5一直到23以至更高，以0.5为一个间隔单位。外频与倍频相乘就是主频，所以其中任何一项提高都可以使CPU的主频上升。由于主频并不直接代表运算速度，所以在一定情况下，很可能会出现主频较高的CPU实际运算速度较低的现象。因此主频仅仅是CPU性能表现的一个方面，而不代表CPU的整体性能 。
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