1) send-active magnetorheological damping control
半主动磁流变阻控制
2) semi-active magnetorheological damping control
半主动磁流变阻尼控制
1.
Analysis for seismic responses of semi-active magnetorheological damping control structures;
半主动磁流变阻尼控制结构的地震反应分析
3) semi-active magnetorheological damper
半主动磁流变阻尼器
1.
The control algorithms and laws in time domain of three kinds of structure control measures, including the active tuned mass damper (ATMD), the semi-active magnetorheological damper (MR) and the passive multiple tuned mass damper (MTMD), are established, and the equations of motion in frequency domain of the controlled structure,in which three kinds of control measures.
文中首先建立了主动调谐质量阻尼器(ATMD)、半主动磁流变阻尼器(MR)和被动多重调谐质量阻尼器(MTMD)等三种结构控制措施在时域中的控制算法和控制律,然后基于子结构法,采用间接边界元方法,通过傅里叶变换,推导了分别安装三种结构控制措施的受控结构在频域中的运动方程,数值仿真分析了某36层高层建筑的地震反应及其控制效果。
4) semi-active variable stiffness/damping control
变刚度/阻尼半主动控制
5) semi active structural control by variable dampers
变阻尼半主动结构控制
补充资料：半磁半导体
半磁半导体
semimagnetic semiconductor
半磁半导体semim眼netie semieonduetor一类新型半导体材料。又称稀磁半导体。通常为A卜二M，B型合金，由组分为普通半导体化合物AB和组分为磁性半导体MB组成，其中组分为x的磁性离子M无规则地占据A的子格点。由于这类材料中存在顺磁离子，具有彼强的局域自旋磁矩，与局域顺磁离子相联系的3d“电子和类s(导带)、类P(价带)能带电子之间的自旋与自旋相互作用结果，产生一种新的交换作用，称为sP一d交换作用，使半磁半导体具有与普通半导体截然不同的性质。自1978年国际上首次报道以来的近15年中，这方面工作已有很大的进展。 结构与组分典型的半磁半导体材料体系是A扩一二Mnx砂型合金，其中M扩离子无规地取代化合物A，理中部分11族的子格点。如宽能隙的Cd卜二Mn二Te(S，Se)、Znl一xMnxTe(S，Se)和窄能隙的Hg;一，Mn二Te(S，Se)等。稳定单相的Cd卜xMnxTe具有闪锌矿结构，组分x值可高达0.77;Cdl一xMnxS为纤锌矿结构，组分x上限为0.45;Znl一xMnxse则在x(0.30为闪锌矿结构，而在0.30
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参考词条