1) P~+/Si~+ co-implantation
磷、硅共注入
3) Y implantation in silicon
Y注入硅
4) Ti implantation into silicon
Ti注入硅
6) co-implantation
共注入
1.
Study on Nano-phases and Surface Improvement of Metal Materials by Co-implantation and Co-deposition Methods;
共注入共沉积金属材料表面改性及其纳米镶嵌结构的研究
2.
To achieve co-implantation without additional ion sources, the required implants are mixed to form a cathode of MEVVA ion source.
将不同单质机械混合，在不增加注入机离子源数目的基础上实现了不同离子的共注入。
补充资料：二磷化硅镉晶体
分子式： CdSiP2
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条