1) He + implanted Si
氦离子注入硅
2) helium ion implantation
氦离子注入
3) Er ion implanted Si
Er离子注入硅
4) Y ions implantation into silicon
Y离子注入硅
5) ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
6) Ion-implantation
离子注入
1.
Substituting Epitaxy by Ion-implantation in the Production of Microphone Devices;
改用离子注入替代外延生产话筒管
2.
Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy;
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究
3.
Using single energy or overlapped energy ion-implantation technology,a modified layer was formed after C ions implanted into uranium.
利用离子注入技术,分别采用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层,并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)及表面相结构衍射谱(XRD)分析,利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。
补充资料：氦3-氦4稀释制冷
分子式：
CAS号：
性质：3He-4He混合液在0.867K时出现界限分明的上下两相，上相3He含量高称浓相，下相4He含量高称稀相。稀相中4He的熵比3He的熵小得多，浓相中4He的熵又比稀相中3He的熵小得多。3He从浓相进入稀相或从稀相中抽走都会发生降温。用泵把3He-4He混合室与一个蒸发器和一个冷凝器连接起来就组成稀释制冷器。用抽气泵不断地把蒸发器中的3He抽走，蒸发过程中3He带走大量热量。从蒸发器中抽走的3He经冷凝器液化后再回到混合室。用此法可获得0.0035～0.0055K的超低温。
CAS号：
性质：3He-4He混合液在0.867K时出现界限分明的上下两相，上相3He含量高称浓相，下相4He含量高称稀相。稀相中4He的熵比3He的熵小得多，浓相中4He的熵又比稀相中3He的熵小得多。3He从浓相进入稀相或从稀相中抽走都会发生降温。用泵把3He-4He混合室与一个蒸发器和一个冷凝器连接起来就组成稀释制冷器。用抽气泵不断地把蒸发器中的3He抽走，蒸发过程中3He带走大量热量。从蒸发器中抽走的3He经冷凝器液化后再回到混合室。用此法可获得0.0035～0.0055K的超低温。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条