1) single crystal thin film
单晶薄膜
1.
The PL spectra of near-band edge emission in ZnSe single crystal thin film grown by metal organic chemical vapour deposition have been measured and recognized.
在２Ｋ下，对常压ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ单晶薄膜进行了光致荧光近带边发射谱的测量和辨认。
2) monocrystalline ZnO thin films
单晶ZnO薄膜
3) single crystal silicon film
单晶硅薄膜
1.
Therefore, a new scheme for thermal conductivity simulation of nanometer single crystal silicon films is.
本文分析了经典分子动力学(Molecular Dynamics)技术在模拟厚度在纳米量级的单晶硅薄膜平行于薄膜平面方向的热导率时出现的用难,指出精确计算薄膜表面附近处的原子运动状态对于单晶硅纳米薄膜面向热导率的分子动力学模拟具有重要意义,并在此基础上提出采用基于分子动力学和预处理共轭梯度法(Preconditioned conjugate Gradients)的Ab Initio方案模拟面向热导率。
2.
The thermal conductivity of single crystal silicon films in the direction along the film plane is investigated by the non-equilibrium molecular dynamics (NEMD) method.
采用非平衡分子动力学方法(NEMD)研究了室温(300 K)下厚度为2～32 nm的单晶硅薄膜的沿膜平面方向的热导率,并使用Debye-Einstein模型对模拟温度进行了量子修正。
4) Rb 3C 60 single crystal film
Rb3C60单晶薄膜
5) K 3C 60 single crystal film
K3C60单晶薄膜
6) PbSe single crystal thin films
PbSe单晶薄膜
补充资料：稀土石榴石单晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用外延生长法在常用衬底Gd3Ga5O12单晶(111)晶面上生成稀土石榴石单晶薄膜材料。恒温5～30min，可得薄膜2～30μm。利用生长工艺参数的变化可制取不同组成和性能的磁光薄膜材料。
CAS号：
性质：用外延生长法在常用衬底Gd3Ga5O12单晶(111)晶面上生成稀土石榴石单晶薄膜材料。恒温5～30min，可得薄膜2～30μm。利用生长工艺参数的变化可制取不同组成和性能的磁光薄膜材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条