补充资料：集成电路用硅单晶

集成电路用硅单晶
silicon crystal for integrated circuit

肺，一净熟一几厂Jle卜engd旧nlu yong gujdanJ旧g(见表l)。可以看出，一般Mos型电路只使用抛光片，集成电路用硅单晶(silieon crystal for inte一但对高集成度的MOS或CMOS，为了消除软失效grated eireuit)半导休硅材料的专门品种，其用(soft error)和门锁效应(lateh一up)，多使用重掺衬底的量最大。集成电路(IC)的类别、集成度、制备工艺对硅外延片。材料的制备方法、晶体参数、加工深度有不同的要求 表l不同类型IC对硅材料的墓本要求一一勺公 注:Mos一金属一氧化物半导体;cMos一互补金属一氧化物半导体;ccD一电荷藕合器件;cz一直拉单晶;Mcz一磁控拉晶; PW一抛光片;EPi一外延片。 在IC生产中，成品率是最重要、最关键的技术经杂质硅片体内的杂质所起的作用不同，例如碳济指标，而硅片的质量对lC的成品率和可靠性起着关等杂质会造成pn结的软击穿，电活性杂质会影响电压键的作用。在这方面起主导作用的因素有杂质、缺陷密阑值，而氧对IC的影响比较复杂(见表2)度、加工的几何精度、硅片直径等。 表2氧对IC器件的影响仁二一 缺陷密度缺陷包括原生缺陷与二次缺陷，其平寸的缩小，对平整度要求更加严格。为了解决一方面硅均密度(D)与IC成品率(Y)的关系为:Y一e一DA，其中片直径不断增大，另一方面对平整度要求愈来愈严格A为管芯面积，随着IC集成度的提高，A会相应变大，的矛盾，出现了分步重复投影光刻，它对硅片提出了局因此为了获得高的成品率必须降低缺陷密度。缺陷的部平整度的要求。劣化作用是由于在缺陷上容易沉积杂质，造成PN结硅片直径决定每个硅片能作的管芯数，硅片直的击穿、软化或降低电荷存储的时间。径的增大可降低IC的成本。表3示出了集成电路的发 几何精度硅片表面的几何精度特别是平整度对展对硅单晶及抛光片的基本要求。光刻结果有明显的影响，而随着集成度的提高、器件尺农3 IC的工艺水平发展对硅材料的要求召工 注:COPs一晶体颗粒缺陷;OSF氧化层错，DRAM一动态随机存储器;MPU一微处理单元。 ①粒径之120nm，颗粒数三50个/片;②COPs尺寸为125nm，密度为131个/片;③氧化层错，动态随机存储器三4.4个/ emZ;微处理单元二3.2个/emZ。 在实际中，除了上述的基本要求外，生产IC的厂 家结合自己的器件工艾环右白己的种特尊炎_

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