1) silicon gate integrated circuit
硅栅集成电路
2) silicon grid PMOS type integrated circuit
硅栅PMOS集成电路
4) floating gate ic
浮栅集成电路
5) IC gate
集成电路栅极
6) Si integrated circuit(IC) technology
硅集成电路工艺
补充资料：集成电路用硅
分子式：
CAS号：
性质：用于集成电路制造的硅抛光片与外延片。随着IC的集成度提高，对硅材料的内在质量与几何尺寸要求愈来愈高，包括杂质含量、缺陷密度、表面清洁度、几何精度、硅片直径等。根据电路种类，对硅材基本要求如下表：IC类型型号品向电阻率/(Ω·cm)是否需外延NMOSp(100)8～80少量(高集成度)CMOSn或p(100)4～15少量(高集成度)双极p(111)8～15全部CCDp(100)15～25少量(高集成度) 对超大规模集成电路，器件尺寸达微米，须使用外延片制作。随着集成度提高，管芯面积增大，制作工序增多，用更大尺寸直径的硅片能获更大经济效益。
CAS号：
性质：用于集成电路制造的硅抛光片与外延片。随着IC的集成度提高，对硅材料的内在质量与几何尺寸要求愈来愈高，包括杂质含量、缺陷密度、表面清洁度、几何精度、硅片直径等。根据电路种类，对硅材基本要求如下表：IC类型型号品向电阻率/(Ω·cm)是否需外延NMOSp(100)8～80少量(高集成度)CMOSn或p(100)4～15少量(高集成度)双极p(111)8～15全部CCDp(100)15～25少量(高集成度) 对超大规模集成电路，器件尺寸达微米，须使用外延片制作。随着集成度提高，管芯面积增大，制作工序增多，用更大尺寸直径的硅片能获更大经济效益。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条