1) dispersed ionic conductor
掺杂离子导体
1.
In this paper, the dynamic properties of dispersed ionic conductors(DIC) are studied.
研究了掺杂离子导体（ＤＩＣ）的动力学性质，基于三分量导电键的随机－ＡＣ－网络模型，采用位置空间重整化方法解析计算了ＤＩＣ系统的交流电导和介电响应等。
2) ion doping
离子掺杂
1.
From the perspectives of dye photosensitization,positive ion doping,negative ion doping,and new type composite photocatalyst,it investigates the preparation,photocatalysis mechanism,effects and shortcomings of the concerned material.
从染料光敏化、阳离子掺杂、阴离子掺杂及新型复合光催化剂四个方面详细探讨该类复合TiO2的制备方法、催化机理、实际效果和缺点;较系统地介绍可见光化光催化剂的研究现状、成果及前景。
2.
The methods to enhance hydrogen production are reviewed,including addition of sacrificial reagent,addition of sodium carbonate,noble metal loading,metal ion doping,anion doping,dye sensitization,semiconductor composition and ion implantation.
综述了加入牺牲剂、碳酸钠、贵金属负载化、金属离子掺杂、阴离子掺杂、染料光敏化、半导体复合以及离子注入等提高二氧化钛光催化制氢的方法,讨论了这几种改性技术的机理以及对提高二氧化钛在可见光下的制氢效率的作用。
3.
To improve electronic conductivity of LiFePO4 by conductive carbon coating and metal particle or ion doping has b.
通过导电碳包覆及金属或金属离子掺杂等改性方法提高这种材料的电子导电率已成为锂离子电池材料领域的研究热点之一。
3) Doping ion
掺杂离子
1.
Through analysing the making process of the heating type thick film sensors by mixing the ion doping into WO 3 and combining TPD and semiconductor analysis,the effect of the doping ion on the properties of O 3 sensors is studied.
在WO3 中掺入杂质离子 ,制成傍热式厚膜元件 ,结合升温脱附 (TPD)和半导体分析 ,研究了掺杂离子对元件性能的影
4) doping cation
掺杂离子
1.
On the basis of analyzing crystal structure and coloring mechanism of the cobalt blue pigment, new kinds of complex cobalt blue pigments with excellent reflectivity properties were synthesized by using the chemical coprecipitation method to draw Zn2+,Mg2+ and La3+, Y3+ doping cations into CoAl_2O_4 crystal cell.
通过对掺杂离子类型、浓度与反射性能影响的探讨 ,得出结论 :掺杂离子改变钴蓝颜料反射性能的主要作用机理为晶格畸变引起 Co2 +3d轨道电子能级分裂程度的变化。
5) In doping
In离子掺杂
6) electron-doped high-T_c superconductor
电子型掺杂高温超导体
1.
Femtosecond time-resolved dynamics in electron-doped high-T_c superconductor La_(2-x)Ce_xCuO_4;
电子型掺杂高温超导体La_(2-x)Ce_xCuO_4飞秒时间分辨动力学研究
补充资料：离子导体
金属的电导由电子运动引起，半导体的电导与电子或空穴的运动有关。离子导体则有别于导体和半导体,它的电荷载流子既不是电子，也不是空穴，而是可运动的离子。离子有带正电荷的阳离子和带负电荷的阴离子之分，相应地也就有阳离子导体和阴离子导体之别。多数离子导体中可运动的离子是很少的，因而离子电导率都不高。例如，食盐(NaCl)，室温下离子电导率仅有10-15Ω-1·cm-1。
离子导体的离子导电性来源于点阵缺陷。固体中除了夫伦克耳缺陷和肖脱基缺陷这两类主要的本征缺陷外（见点缺陷），还有由于异价杂质的存在而产生的非本征缺陷。例如，在氟化钙(CaF2)中，如果有三价金属杂质离子存在，就必定会形成相等数量的间隙氟离子，以实现电中性。这些本征的和非本征的点阵缺陷在外电场作用下都会进行长程运动，从而对离子电导率作出贡献。
离子电导率σ与温度的关系是：
这就是阿伦尼乌斯关系式,式中σ0、T和Eα分别是幂前因子、绝对温度和电导激活能。
快离子导体也是一种离子导体，但具有不同于一般离子导体的特征。
离子导体的离子导电性来源于点阵缺陷。固体中除了夫伦克耳缺陷和肖脱基缺陷这两类主要的本征缺陷外（见点缺陷），还有由于异价杂质的存在而产生的非本征缺陷。例如，在氟化钙(CaF2)中，如果有三价金属杂质离子存在，就必定会形成相等数量的间隙氟离子，以实现电中性。这些本征的和非本征的点阵缺陷在外电场作用下都会进行长程运动，从而对离子电导率作出贡献。
离子电导率σ与温度的关系是：
这就是阿伦尼乌斯关系式,式中σ0、T和Eα分别是幂前因子、绝对温度和电导激活能。
快离子导体也是一种离子导体，但具有不同于一般离子导体的特征。
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