1) metallographic chemistry
金相化学
2) metallographic electrochemistry
金相电化学
3) MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
4) MOCVD
有机金属化学气相沉积
1.
Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated by MOCVD;
生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
5) Metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.
p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
6) MOCVD
金属有机化学气相淀积
补充资料：工程化学障碍物(见化学障碍物)
工程化学障碍物(见化学障碍物)
engineering-chemical obstacle
习U·上日、11匕I一9 nuQXue Zhang’aiwu工程化学障碍物(engineelsng一ehemiealobstacle)见化学障碍物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条