1) LDGMI effect
纵向驱动巨磁阻抗效应
1.
It can be concluded from the field dependence of phase that imaginary part of permeability μ", which is corresponding to the magnetic losses, plays an important role in the high frequency LDGMI effect, and that the value of transverse magnetic anisotropy field H k can be easily determined by the minimum.
从相位随外磁埸的变化规律中得出 ,与磁损耗相应的 μ”随外磁埸的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因。
2) longitudinal giant magneto-impedance effect
纵向巨磁阻抗效应
3) giant magnetoimpedance effect
巨磁阻抗效应
1.
Analysis of current-density distribution and giant magnetoimpedance effect in composite wires;
复合结构丝中的电流密度分布和巨磁阻抗效应
2.
Study on the giant magnetoimpedance effect of FeCuCrVSiB multilayered films;
FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究
3.
With increasing Cu content, the giant magnetoimpedance effect in Fe-Cu-Nb-Si-B as-cast ribbons is enhanced.
5B9中可观察到巨磁阻抗效应的增强现象。
4) giant magneto-impedance
巨磁阻抗效应
1.
Investigation of giant magneto-impedance effect in electroless-deposited CoP/Insulator/BeCu wires;
化学镀CoP/Insulator/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应研究
2.
The giant magneto-impedance effect has been measured in near-zero magnetostriction Co_(66.
7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应。
3.
The giant magneto-impedance effect of the near-zero magnetostriction Co-based amorphous ribbon toroidal core is annealed by 25A/mm2 pulse current density under a transverse magnetic field of 16kA/m for 30 seconds.
将近零磁致伸缩系数的钴基非晶薄带卷成环形后,在16kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,并由环形薄带轴线上的直流电流提供环形磁场,可以获得显著的巨磁阻抗效应。
5) giant magneto-impedance effect
巨磁阻抗效应
1.
Magnetization processes and giant magneto-impedance effect in feCuNbSiB multilayered flims;
FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应
2.
Current sensor utilizing giant magneto-impedance effect in Co-based amorphous ribbon toroidal core;
钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器
3.
Transverse giant magneto-impedance effect in FeCuCrVSiB single layered and multilayered films;
FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应
6) giant magnetoimpedance
巨磁阻抗效应
1.
Thickness effect on giant magnetoimpedance in multilayered films;
薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究
2.
Study of effects of frequency shift on Fe-based nanocrystalline giant magnetoimpedance;
磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应影响的研究
3.
New sensitive quick response low power consumption and small volume micromagnetic sensors, namely, the giant magnetoimpedance (GMI) sensor utilizing the GMI effect in zero-magnetostrictive amorphous wires were presented.
介绍了目前几种基于巨磁阻抗效应的传感器,包括磁场传感器、扭矩传感器、汽车交通监测系统和生物传感器等的工作原理和特性。
补充资料：功率场效应晶体管栅极驱动电路
使功率场效应晶体管按信号的要求导通或截止的电路。用于控制电力电子电路中的功率场效应晶体管的通断。功率场效应晶体管是电压控制器件，只要栅极驱动电路提供合适的栅极电压，即能保证元件的可靠通断。因栅极驱动电流较小，所以驱动电路比较简单。在工作频率较低的应用场合，常用集成逻辑电路或集成模拟电路等直接驱动功率场效应晶体管。图1是用集成与非门直接驱动功率场效应晶体管的电路。当与非门输出高电平时，功率场效应晶体管导通；当与非门输出低电平时，功率场效应晶体管关断。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条