1) GMR resistive
巨磁电阻抗效应
2) giant magnetoimpedance effect
巨磁阻抗效应
1.
Analysis of current-density distribution and giant magnetoimpedance effect in composite wires;
复合结构丝中的电流密度分布和巨磁阻抗效应
2.
Study on the giant magnetoimpedance effect of FeCuCrVSiB multilayered films;
FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究
3.
With increasing Cu content, the giant magnetoimpedance effect in Fe-Cu-Nb-Si-B as-cast ribbons is enhanced.
5B9中可观察到巨磁阻抗效应的增强现象。
3) giant magneto-impedance
巨磁阻抗效应
1.
Investigation of giant magneto-impedance effect in electroless-deposited CoP/Insulator/BeCu wires;
化学镀CoP/Insulator/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应研究
2.
The giant magneto-impedance effect has been measured in near-zero magnetostriction Co_(66.
7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应。
3.
The giant magneto-impedance effect of the near-zero magnetostriction Co-based amorphous ribbon toroidal core is annealed by 25A/mm2 pulse current density under a transverse magnetic field of 16kA/m for 30 seconds.
将近零磁致伸缩系数的钴基非晶薄带卷成环形后,在16kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,并由环形薄带轴线上的直流电流提供环形磁场,可以获得显著的巨磁阻抗效应。
4) giant magneto-impedance effect
巨磁阻抗效应
1.
Magnetization processes and giant magneto-impedance effect in feCuNbSiB multilayered flims;
FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应
2.
Current sensor utilizing giant magneto-impedance effect in Co-based amorphous ribbon toroidal core;
钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器
3.
Transverse giant magneto-impedance effect in FeCuCrVSiB single layered and multilayered films;
FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应
5) giant magnetoimpedance
巨磁阻抗效应
1.
Thickness effect on giant magnetoimpedance in multilayered films;
薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究
2.
Study of effects of frequency shift on Fe-based nanocrystalline giant magnetoimpedance;
磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应影响的研究
3.
New sensitive quick response low power consumption and small volume micromagnetic sensors, namely, the giant magnetoimpedance (GMI) sensor utilizing the GMI effect in zero-magnetostrictive amorphous wires were presented.
介绍了目前几种基于巨磁阻抗效应的传感器,包括磁场传感器、扭矩传感器、汽车交通监测系统和生物传感器等的工作原理和特性。
6) GMI effect
巨磁阻抗效应
1.
Influence of Joule annealing on GMI effect for Co-based amorphous microwires;
电流退火对钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响
2.
The GMI effect of the films varied with soft magnetic properties and magnetic m.
本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。
3.
The results show that the GMI effect enhanced,when the (Ni_(80)Fe_(20)/SiO_2) bilayers structure repeated in the sample.
用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni_(80)Fe_(20)/SiO_2)_n/Cu/(SiO_2/Ni_(80)Fe_(20))_n复合结构多层膜,并对其巨磁阻抗效应进行了研究。
补充资料：磁电效应
包括电流磁效应和狭义的磁电效应。电流磁效应是指磁场对通有电流的物体引起的电效应，如磁阻效应和霍耳效应；狭义的磁电效应是指物体由电场作用产生的磁化效应或由磁场作用产生的电极化效应如电致磁电效应或磁致磁电效应。
磁阻效应 外加磁场后，由磁场作用引起物质电阻率的变化。对于非铁磁性物质，外加磁场通常使电阻率增加,即产生正的磁阻效应。在低温和强磁场条件下,这效应显著。对于单晶，电流和磁场相对于晶轴的取向不同时，电阻率随磁场强度的改变率也不同，即磁阻效应是各向异性的。
铁磁体在居里温度以下，其磁阻效应与非铁磁体的不同。以图1给出的多晶镍棒的实验数据为例。在弱磁场下的技术磁化区，电阻率的相对变化 有较大的值。电流与磁场平行时具有正号。而电流与磁场垂直时具有负号。在顺磁磁化过程存在的强磁场区，和都伴随真实磁化强度增加而减少。
铁磁单晶的磁阻效应也是各向异性的,值的大小与电流和磁化强度相对于晶轴的取向有关。
霍耳效应 在磁场中，通有电流的物体，沿着垂直于与电流和磁场方向产生电场，导致出现电位差的现象。原因是由于运动载流子受到磁场的作用。
霍耳效应产生的霍耳电场与电流密度J、磁通密度B的关系为E＝RH(B×J), (1)
式中RH称为霍耳系数。与导体的电导率σ、载流子的迁移率μ有如下关系。 (2)
对铁磁物质，霍耳电场E由样品的磁化强度M决定E＝RI(M×J), (3)
式中铁磁体的霍耳系数RI一般比非铁磁体的霍耳系数RH大。除此之外，铁磁体、亚铁磁体和反铁磁体的霍耳系数与温度的依赖关系表现出很多反常现象。
狭义的磁电效应 在一些磁性物质内，可能产生与外加电场E成正比的磁化强度M或与外加磁场H成正比的电极化强度P,这种现象统称作磁电效应。前者称作电致磁电效应，后者称作磁致磁电效应。
当同时外加电场E和磁场H时, 物体的磁化强度M、极化强度P和E、H二者有关, (4a)
, (4b)
其中ⅹm、ⅹe分别为材料的磁化率和电极化率,αme和αem则分别为材料的磁致磁电化率和电致磁电化率。其中ⅹm、ⅹe、αme、αem通常都是张量。
Л.Д.朗道和E.М.栗弗席兹根据热力学和对称性理论预言，在自旋有序的磁性物质内，可能存在磁电效应。1960年 Д. H.阿斯特罗夫最先在实验中观察到反铁磁体Cr2O3单晶的电致磁电效应。1961年G.T.拉多和V.J.福伦又观察到Cr2O3单晶的磁致磁电效应。图2给出Cr2O3单晶的电致磁电化率随温度变化的实验数据与理论计算结果的比较。当温度升高到磁有序温度以上时，Cr2O3晶体由反铁磁性转变为顺磁性后,磁电效应随之消失。其中(αem)〃和(αme)寑指外加电场平行和垂直于Cr2O3的三角晶轴时的电致磁电化率。
在Cr2O3晶体中观察到磁电效应之后,人们又在很多具有一定晶体对称性的反铁磁物质内观察到磁电效应。
参考书目
近角聰信等编：《磁性体ハンドブック》,朝倉書店，東京，1975。
磁阻效应 外加磁场后，由磁场作用引起物质电阻率的变化。对于非铁磁性物质，外加磁场通常使电阻率增加,即产生正的磁阻效应。在低温和强磁场条件下,这效应显著。对于单晶，电流和磁场相对于晶轴的取向不同时，电阻率随磁场强度的改变率也不同，即磁阻效应是各向异性的。
铁磁体在居里温度以下，其磁阻效应与非铁磁体的不同。以图1给出的多晶镍棒的实验数据为例。在弱磁场下的技术磁化区，电阻率的相对变化 有较大的值。电流与磁场平行时具有正号。而电流与磁场垂直时具有负号。在顺磁磁化过程存在的强磁场区，和都伴随真实磁化强度增加而减少。
铁磁单晶的磁阻效应也是各向异性的,值的大小与电流和磁化强度相对于晶轴的取向有关。
霍耳效应 在磁场中，通有电流的物体，沿着垂直于与电流和磁场方向产生电场，导致出现电位差的现象。原因是由于运动载流子受到磁场的作用。
霍耳效应产生的霍耳电场与电流密度J、磁通密度B的关系为E＝RH(B×J), (1)
式中RH称为霍耳系数。与导体的电导率σ、载流子的迁移率μ有如下关系。 (2)
对铁磁物质，霍耳电场E由样品的磁化强度M决定E＝RI(M×J), (3)
式中铁磁体的霍耳系数RI一般比非铁磁体的霍耳系数RH大。除此之外，铁磁体、亚铁磁体和反铁磁体的霍耳系数与温度的依赖关系表现出很多反常现象。
狭义的磁电效应 在一些磁性物质内，可能产生与外加电场E成正比的磁化强度M或与外加磁场H成正比的电极化强度P,这种现象统称作磁电效应。前者称作电致磁电效应，后者称作磁致磁电效应。
当同时外加电场E和磁场H时, 物体的磁化强度M、极化强度P和E、H二者有关, (4a)
, (4b)
其中ⅹm、ⅹe分别为材料的磁化率和电极化率,αme和αem则分别为材料的磁致磁电化率和电致磁电化率。其中ⅹm、ⅹe、αme、αem通常都是张量。
Л.Д.朗道和E.М.栗弗席兹根据热力学和对称性理论预言，在自旋有序的磁性物质内，可能存在磁电效应。1960年 Д. H.阿斯特罗夫最先在实验中观察到反铁磁体Cr2O3单晶的电致磁电效应。1961年G.T.拉多和V.J.福伦又观察到Cr2O3单晶的磁致磁电效应。图2给出Cr2O3单晶的电致磁电化率随温度变化的实验数据与理论计算结果的比较。当温度升高到磁有序温度以上时，Cr2O3晶体由反铁磁性转变为顺磁性后,磁电效应随之消失。其中(αem)〃和(αme)寑指外加电场平行和垂直于Cr2O3的三角晶轴时的电致磁电化率。
在Cr2O3晶体中观察到磁电效应之后,人们又在很多具有一定晶体对称性的反铁磁物质内观察到磁电效应。
参考书目
近角聰信等编：《磁性体ハンドブック》,朝倉書店，東京，1975。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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