1)  a-Si:H
a-Si:H
1.
ANALYSIS AND CALCULATION OF THE OPTIMUMi-LAYER THICKNESS OF a-Si:H FILM SOLAR CELLS;
a-Si:H薄膜太阳电池最佳i层厚度的分析与计算
2.
Analysis of the Design for a-Si:H thin film in a-Si/c-Si Heterojunction Solar Cells;
异质结硅太阳能电池a-Si:H薄膜的研究
3.
Study of MWECR CVD Deposition Technique for a-Si:H and Properties of a-Si:H;
a-Si:H薄膜的MWECR CVD制备及特性研究
2)  GD a-Si:H film
GD a-Si:H膜
3)  na-Si:H
na-Si:H
1.
Boron-doped nano-structured amorphous silicon (na-Si∶H) thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition.
研究表明,与传统掺硼非晶硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si∶H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能Ea≈0。
4)  p-Si:H films
p-Si:H膜
1.
p-Si:H films were deposited on different transparent conductive films by PECVD in this paper.
用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。
5)  a-Si:H film
a-Si:H薄膜
1.
Investigation of a-Si:H film characteristics influenced by magnetic field gradient in MWECR CVD plasma system;
MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究
6)  a Si:H films
Si:H薄膜
1.
By decomposing SiH 4 in this source the deposition rates of a Si:H films can be higher than 2 nm/s.
应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了 2nm/s以上的高沉积速
参考词条
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：

性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。