1) μc-Si:H
μc-Si:H
1.
Effect of Power Density on the Properties of μc-Si:H Deposited by VHF-PECVD;
功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响
2) μc-Si:H film
μc-Si:H薄膜
3) microcrystalline silicon(μc-Si:H)
微晶硅（μc-Si:H）
4) microcrystalline silicon solar cell
μc-Si:H太阳电池
1.
Influence of low rate p/i interface layer on the performance of high growth rate microcrystalline silicon solar cells;
85nm/s的沉积速率制备得到单结μc-Si:H太阳电池的光电转换效率可以达到8。
5) p-typeμc-Si:H film
p型μc-Si:H薄膜
6) microcrystalline silicon(μc-Si:H) thin films
微晶硅薄膜（μc-Si:H）
参考词条
补充资料：microcrystalline silicon μc-Si
分子式：
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
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