Si-PIN型半导体,Si-PIN detector,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Si-PIN detector

Si-PIN型半导体

2) Si-PIN detector

Si-PIN型半导体探测器

3) Si

DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure;

DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文)

ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel;

ICP-AES法测定超高强度钢中Mn,Si,Al,Ti,Nb,La杂质元素

Effects of Trace Si,Ba and Sn on the As-cast Microstructure of AZ91 Magnesium Alloy;

微量Si、Ba、Sn对AZ91铸态组织的影响

4) Silicon

Mechanism of effect of nutrient silicon and water temperature on phytoplankton;

营养盐Si和水温影响浮游植物的机制

Silicon, aluminium and other, a total of 10 elements in different kinds of biological samples, were measured by ICP-AES.

探讨不同种类生物样品中Si和Al等10种元素的测定方法,采用干灰化结合偏硼酸锂碱熔灰分的前处理方法,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定试样中Si和Al以及Ca,Mg,Fe,Na,P,Mn,Sr,Ti。

This suggests that sodium attack of both aluminium and Al-12%Si alloy is the result of a reaction between sodium and the silicon contained in the aluminium.

本文研究了纯Al及Al－12％Si合金在液态Na中的腐蚀特性。

5) Si)

Si）

6) a-Si

a-Si

Inner circuit and noise equivalent temperature difference (NETD) of the a-Si FPA were analyzed and the equation of NETD was deduced at length.

本文根据对a-Si微测辐射热计焦平面内部的微观电路结构和噪声等效温差(noise equivalent temperature difference,NETD)的分析,经过详细地推导NETD公式,认为可调节两个偏置电压,使焦平面可以在较低的温度下稳定工作。

In this dissertation，preparation and thermoelectric characterization of conventional silicon-based materials and devices have been studied, including amorphous silicon (a-Si) films, polycrystalline silicon germanium (polySiGe) films and amorphous silicon thin-film-transistors (a-Si TFT).

本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性，开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式测辐射热计，在国际上首次提出并实现了基于a-Si TFT的室温红外探测器单元与8×8阵列原型，器件初步具备了室温红外热成像的能力。

参考词条

n-Si/p-Si Si/SiGe/Si HBT Si粉 Si-MCM-41 Fe-6.5%Si Si相 Al-3%Si Al-Si Si-OH αFe（Si） SI制 Bi-Si Si（OR）4 Si/Al Si（硅） Si区 Si桥 J2SDK 混凝土的灰浆空隙配比法

补充资料：p型半导体

分子式：
CAS号：

性质：以电子为多数载流子的半导体材料，p为positive(正)之意。p型半导体是通过引入受主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使得禁带中出现杂质能级，若杂质原子能接受电子的，其能级为受主能级，该半导体为p型半导体。在通常温度下受主束缚的空穴有可能离化到价带，超导电作用。对p型半导体，空穴激发进入满带成为主要载流子。如掺入第13(IIIA)族元素(如硼、铝、镓等)的硅与锗。也有某些固体总是p型的，如Cu₂O，NiO，Cr₂O₃等。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引 Si/Si Si-O-Si键 TiO2/n-Si/p-Si

1) Si-PIN detector Si-PIN型半导体 2) Si-PIN detector Si-PIN型半导体探测器 3) Si Si 1. DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure; DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文) 2. ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel; ICP-AES法测定超高强度钢中Mn,Si,Al,Ti,Nb,La杂质元素 3. Effects of Trace Si,Ba and Sn on the As-cast Microstructure of AZ91 Magnesium Alloy; 微量Si、Ba、Sn对AZ91铸态组织的影响 4) Silicon Si 1. Mechanism of effect of nutrient silicon and water temperature on phytoplankton; 营养盐Si和水温影响浮游植物的机制 2. Silicon, aluminium and other, a total of 10 elements in different kinds of biological samples, were measured by ICP-AES. 探讨不同种类生物样品中Si和Al等10种元素的测定方法,采用干灰化结合偏硼酸锂碱熔灰分的前处理方法,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定试样中Si和Al以及Ca,Mg,Fe,Na,P,Mn,Sr,Ti。 3. This suggests that sodium attack of both aluminium and Al-12%Si alloy is the result of a reaction between sodium and the silicon contained in the aluminium. 本文研究了纯Al及Al－12％Si合金在液态Na中的腐蚀特性。 5) Si) Si） 6) a-Si a-Si 1. Inner circuit and noise equivalent temperature difference (NETD) of the a-Si FPA were analyzed and the equation of NETD was deduced at length. 本文根据对a-Si微测辐射热计焦平面内部的微观电路结构和噪声等效温差(noise equivalent temperature difference,NETD)的分析,经过详细地推导NETD公式,认为可调节两个偏置电压,使焦平面可以在较低的温度下稳定工作。 2. In this dissertation，preparation and thermoelectric characterization of conventional silicon-based materials and devices have been studied, including amorphous silicon (a-Si) films, polycrystalline silicon germanium (polySiGe) films and amorphous silicon thin-film-transistors (a-Si TFT). 本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性，开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式测辐射热计，在国际上首次提出并实现了基于a-Si TFT的室温红外探测器单元与8×8阵列原型，器件初步具备了室温红外热成像的能力。参考词条 n-Si/p-Si Si/SiGe/Si HBT Si粉 Si-MCM-41 Fe-6.5%Si Si相 Al-3%Si Al-Si Si-OH αFe（Si） SI制 Bi-Si Si（OR）4 Si/Al Si（硅） Si区 Si桥 J2SDK 混凝土的灰浆空隙配比法补充资料：p型半导体分子式： CAS号：性质：以电子为多数载流子的半导体材料，p为positive(正)之意。p型半导体是通过引入受主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使得禁带中出现杂质能级，若杂质原子能接受电子的，其能级为受主能级，该半导体为p型半导体。在通常温度下受主束缚的空穴有可能离化到价带，超导电作用。对p型半导体，空穴激发进入满带成为主要载流子。如掺入第13(IIIA)族元素(如硼、铝、镓等)的硅与锗。也有某些固体总是p型的，如Cu₂O，NiO，Cr₂O₃等。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com