1) wurtzite ZnO film
六方ZnO晶体薄膜
2) Zinc oxide based thin film transistors
ZnO基薄膜晶体管
3) polycrystalline ZnO films
多晶ZnO薄膜
1.
Highly oriented and transparent polycrystalline ZnO films prepared by RF actively sputtering technique;
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜
2.
Highly oriented polycrystalline ZnO films were prepared on Si wafer by RF reactive sputtering technique.
采用RF反应溅射法在Si(111)衬底上制备出了沿C轴高度取向的多晶ZnO薄膜。
4) monocrystalline ZnO thin films
单晶ZnO薄膜
5) ZnO polycrystalline thin films
ZnO多晶薄膜
6) amorphous ZnO thin film
非晶态ZnO薄膜
1.
In this paper,amorphous ZnO thin film was prepared by sol-gel method on glass substrate in order to study optical properties.
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了非晶态ZnO薄膜。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条