1) Crystal film
晶体薄膜
1.
On the basis of the theory of phonon Green s function,the phonon stru cture of simple cubic crystal film is studied,the lineshape formula of phonon Brillouin spectrum is deduced, and the numerical results are reported.
以声子格林函数理论为基础 ,研究了简立方晶体薄膜的声子结构 ,推导了简立方晶体薄膜的声子布里渊光谱的线形公式 ,并给出了数值计算的结果。
3) thin-crystal film(TCF)
薄晶体膜
1.
The paper describes a use of enhanced Optiva thin-crystal film(TCF) coatings for the correction of color errors(blue leakage) and color variations in liquid crystal displays(LCD).
讲述了在液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)中利用增强Optiva薄晶体膜(thin-crystalfilm,TCF)镀层来修正色彩偏差(蓝光泄漏)和色调变化。
4) TFT
薄膜晶体管
1.
A Novel Ultra-Thin Channel Poly-Si TFT Technology;
多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)
2.
Charge Sharing Effects of Grain Boundary in Polysilicon TFTs;
多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应
3.
An FAAS method for the determination of mass ratio of chemical composition in thin film transistors ( TFT ) of CdSe is proposed in this paper.
以特纯CdSe为标样 ,用火焰原子吸收法 (FAAS) ,分别测定CdSe薄膜晶体管 (TFT)中Cd与Se的含量及化学组成质量比 ,分别验证了CdSe粉末总量测定值 ,CdSe粉末化学组成质量比测定值 ,薄膜样品测定值的准确度 ,其相对误差分别为 0 4 2 %、-3 8%和 -0 5 %。
5) C 60 crystal membrane
C60晶体薄膜
6) thin film transistor
薄膜晶体管
1.
The fabrication of thin film transistors with ZnO as active channel layer;
以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究
2.
This paper describes the historical background,the typical structure and actual application in AMLCDs of thin film transistor.
ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点。
3.
The paper analylizes the operation characteristics of this kind of transistor according to the test results of the fabricated a Au/CuPc/Al/CuPc/of structure organic thin film transistor with vertical conductive channel.
根据试制的Au/CuPc/A l/CuPc/Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条