3) photoreflectance
光调制反射
1.
Photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells (MQWs) grown on GaAs substrate by MBE are measured over a range of temperature and excitation power density.
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 。
2.
The experimental results in GaAs/AlGaAs and strained InGaAs/GaAs multiple quantum wells by using DR technique at room temperature were presented, and compared with the experimental results of photoreflectance (PR) spectra and the theoretical values.
报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射（ＤＲ）光谱技术，给出ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱和应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱在室温下的ＤＲ谱实验测量结果，并与光调制反射谱（ＰＲ）实验和理论计算结果相比较。
3.
The photoluminescence, photoreflectance and Raman spectra of ZnTe/Zn 1 x Mn x Te superlattice samples grown by MBE technique were studied from 11 to 80K.
在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。
4) Modulated photoreflectance
调制光反射
5) index modulation
折射率调制
1.
The index modulation function of edge fiber Bragg grating (EFBG) is acquired using genetic algorithms synthesizing, and a method for fabricating tunable EFBG by changing the diameter of the fiber along its axis and applying tension to the fiber grating is proposed and testified.
基于遗传算法设计了斜边三角形光纤光栅 (EFBG)的折射率调制函数 ;提出了光纤外径沿轴向变化、在拉应力下可获得可调谐的斜边三角形光纤光栅 ;计算分析了该器件多个物理参量对反射光谱的影响。
2.
We research the various index modulation methods and design the scanning device to realize the apodized exposure.
本文研究光纤光栅的不同折射率分布及其光谱特性和应用 ;利用模式耦合方程求解几种典型的折射率调制光纤光栅的光谱特性 ;研究了光纤光栅不同折射率调制的实现方法 ,并设计研制了实现变迹曝光法的扫描装置。
6) refractive index modulation
折射率调制
1.
Influence of refractive index modulation on fiber Bragg grating characteristics
光栅折射率调制对光纤Bragg光栅特性的影响
补充资料：电势调制电反射法
分子式：
CAS号：
性质：改变电极电势，测量由电势调制引起的固体电极表面的光反射率变化的方法。该法可以用来得到半导体电极的平带电势、表面电荷、能带隙中表面态和金属电极界面的双电层结构等。
CAS号：
性质：改变电极电势，测量由电势调制引起的固体电极表面的光反射率变化的方法。该法可以用来得到半导体电极的平带电势、表面电荷、能带隙中表面态和金属电极界面的双电层结构等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条