1) semilinear parabolic system
半线性抛物系统
1.
This work is concerned with the local null controllability for a coupled semilinear parabolic systems describing a kind of biological and chemical process.
讨论了一类具有生态学和化学背景的半线性抛物系统的局部零能控性,利用Carleman不等式和Kakutani不动点定理研究了线性化系统的零能控性和原系统的局部零能控性。
2) semi-linear parabolic equation
半线性抛物方程
1.
An H~1-Galerkin mixed finite element method for semi-linear parabolic equation;
半线性抛物方程的H~1-Galerkin混合有限元方法
2.
Space-time finite element method for semi-linear parabolic equations;
半线性抛物方程的时空有限元方法
3.
It L~q-estimate is studied concerned with global positive solution of one kind of semi-linear parabolic equation with p exponent and Neumann boundary condition and singular coefficient.
研究一类带有奇性系数的具有Neumann边界及p指数的半线性抛物方程整体正解的Lq估计。
3) semilinear parabolic equation
半线性抛物方程
1.
Life span of solution for a semilinear parabolic equation with a gradient term;
带梯度项的半线性抛物方程解的生命周期(英文)
2.
Blow-up for semilinear parabolic equations with nonlinear memory and absorption;
一类具有非线性记忆和吸收项的半线性抛物方程解的爆破
3.
Gives some lemmas of the solution of the semilinear parabolic equation x qu t=u xx +x αu p.
给出了关于半线性抛物方程xqut=uxx+xαup 解的几个引理 ,证明了在条件 p +α≤q+ 1下此方程解的爆破集为 {0 }。
5) semiparabolic
半抛物线
1.
Based on analyzing the trait of its apparent viscosity, the fitting interpolation method of two semiparabolic segments was put forward in order to improve the fitting formulae of semisolid apparent viscosity.
在分析半固态金属表观粘度特点的基础上 ,提出了半固态金属表观粘度的两段半抛物线拟合插值法 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条