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1)  Si(001) surface
Si(001)表面
1.
First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces
Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究
2.
By analyzing the band structures, the Si(001) surface varied from semiconductor to conductor, then to semiconductor again with increasing Li coverage.
由能带结构分析结果可知,随着覆盖度的增大,Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程。
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2)  Si(001)2×1 reconstructed surface
Si(001)重构表面
3)  GaN/Si(001) interface
GaN/Si(001)界面
4)  Pd(001) surface
Pd(001)表面
例句>>
5)  3C-SiC(001) surface
3C-SiC(001)表面
6)  TiO_2-terminated SrTiO_3(001)surface
SrTiO3-(001)TiO2表面
1.
Water adsorptions on TiO_2-terminated SrTiO_3(001)surfaces at four kinds of coverages(0.
75ML和1ML吸附率下H2O在SrTiO3-(001)TiO2表面上的吸附行为。
补充资料：001(Rf)
分子式：
分子量：
CAS号：

性质：周期系第Ⅵ族副族元素。原子序数104。一种人工放射性元素。有10种同位素。其中001261的半衰期最长，为65秒。原子量261.1089。为纪念英籍新西兰物理学卢瑟福（E.Rutherford）而得名。化学性质与铪相似。用加速的氧离子轰击锔靶可合成001261。

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参考词条