2) Si(111) H surface
Si(111)H表面
3) Si(111) 7×7 surface
Si(111)7×7表面
4) Au/Si(111) adsorbed surface
Au/Si(111)吸附表面
5) Si(111)-7×7 surface
Si(111)-7×7表面
1.
The paper applied the density functional cluster model methods and systematically investigated the mechanisms of surface reactions between small molecules and Si(111)-7×7 surface.
通过对比分析这三种反应机理得出:在Si(111)-7×7表面的吸附原子-剩余原子对上发生N-H分离吸附最有利,而发生CN[2+2]环加成吸附最难。
6) Silicon(111) surface
Si(111)面
1.
In this article,Molecular dynamics(MD) was used to study the growth process of diamond-like carbon(DLC) films synthesized via ion-beam-assisted deposition(IBAD) on Silicon(111) surface.
本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学(MD)方法在Si(111)面上模拟研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)膜的物理过程。
补充资料：(DD-8-111"
CAS：20941-65-5
分子式：C20H40N4S8Te
分子质量：720.68
中文名称：(DD-8-111"1"1'1'1"'1"')-四(二乙基二硫代氨基甲酸-S,S')碲
英文名称：diethyl-carbamodithioic acid tetrakis(anhydrosulfide) with thiotelluric acid
分子式：C20H40N4S8Te
分子质量：720.68
中文名称：(DD-8-111"1"1'1'1"'1"')-四(二乙基二硫代氨基甲酸-S,S')碲
英文名称：diethyl-carbamodithioic acid tetrakis(anhydrosulfide) with thiotelluric acid
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条