1) Si/Ge_n/Si(001) hetero-structure film
Si/Gen/Si(001)异质膜
2) Si(001) surface
Si(001)表面
1.
First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces
Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究
2.
By analyzing the band structures, the Si(001) surface varied from semiconductor to conductor, then to semiconductor again with increasing Li coverage.
由能带结构分析结果可知,随着覆盖度的增大,Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程。
3) GaN/Si(001) interface
GaN/Si(001)界面
4) heteroepitaxial GaAs/Si layer
异质外延GaAs/Si薄膜
5) n-BN/p-Si film heterojunctions
n-BN/p-Si薄膜异质结
1.
n-BN/p-Si film heterojunctions was fabricated with boron nitride films grown by magnetron sputtering and S ion implantation, and annealed at 600 ℃,on p-type Si( 100)substrate.
用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN／p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质。
6) PtSi/Si heterostructure
PtSi/Si异质结
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条