1) nonlinear evolution inclusion
非线性发展包含
2) controllability
发展包含
1.
The purpose of this paper is to study controllability for the evolution inclusion with nonlocal conditions.
研究带有非局部条件发展包含的可控性,在多值函数F(t,x)取凸情形时将所讨论的问题转化为集值积分算子的不动点问题,利用凝聚映射不动点定理给出发展包含可控性的充分条件。
2.
By applying a fixed pointed theorem for condesing maps,the sufficient conditions of controllability are given.
利用凝聚映射的不动点定理给出了一类发展包含的可控性的充分条件,处理问题的方法是基于解的积分表示,将所讨论的问题转化为集值积分算子的不动点问题。
3) Evolution inclusion
发展包含
1.
The periodic problem of evolution inclusion is studied and its results are used to establish existence theorems of periodic solutions of a class of semi_linear differential inclusion.
研究了一类发展包含的周期问题,其结果应用于建立一类半线性微分包含周期解的存在性定理· 给出了半线性微分包含端点解的存在性定理和强松驰定理,并且应用于周期反馈控制系统·
4) nonlinear differential inclusion
非线性微分包含
1.
Stability analysis of a kind of nonlinear differential inclusions with integral time-delay weighted parts;
一类积分加权时滞型非线性微分包含的稳定性
6) nonlinear evolution equations
非线性发展方程
1.
Blow-up of solutions for a class of nonlinear evolution equations;
一类非线性发展方程解的爆破
2.
In this paper,with a view to getting exact solution for nonlinear evolution equations(NLEES),a method for finding a kind of general auxiliary equation is devised.
本文给出了寻找适当的辅助方程的一种较一般化的方法,通过这种方法可以得到一系列的辅助方程,利用这些辅助方程又可以构造出非线性发展方程的许多精确孤波解。
3.
Taking the dispersive long wave equations as an example,a general method for seeking the exact solutions through the homogeneous balance method for the nonlinear evolution equations is presented.
以色散长波方程组为例 ,给出利用齐次平衡法构造非线性发展方程的多种形式准确解的一般途径 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条